文献

J-GLOBAL ID：201902271527779851   整理番号：19A1887106

GaN(0001)上のCOのドーピング依存吸着と光子刺激脱着【JST・京大機械翻訳】

Doping-Dependent Adsorption and Photon-Stimulated Desorption of CO on GaN(0001)

著者 (11件)： Kollmannsberger Sebastian L. (Chair of Physical Chemistry, Department of Chemistry & Catalysis Research Center, Technische Universitaet Muenchen, Germany) ,  Walenta Constantin A. (Chair of Physical Chemistry, Department of Chemistry & Catalysis Research Center, Technische Universitaet Muenchen, Germany) ,  Walenta Constantin A. (Nanosystems Initiative Munich, Germany) ,  Winnerl Andrea (Walter Schottky Institute and Physics Department, Technische Universitaet Muenchen, Germany) ,  Weiszer Saskia (Walter Schottky Institute and Physics Department, Technische Universitaet Muenchen, Germany) ,  Pereira Rui N. (Walter Schottky Institute and Physics Department, Technische Universitaet Muenchen, Germany) ,  Tschurl Martin (Chair of Physical Chemistry, Department of Chemistry & Catalysis Research Center, Technische Universitaet Muenchen, Germany) ,  Stutzmann Martin (Walter Schottky Institute and Physics Department, Technische Universitaet Muenchen, Germany) ,  Stutzmann Martin (Nanosystems Initiative Munich, Germany) ,  Heiz Ueli (Chair of Physical Chemistry, Department of Chemistry & Catalysis Research Center, Technische Universitaet Muenchen, Germany) ,  Heiz Ueli (Nanosystems Initiative Munich, Germany)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 15  ページ： 8473-8479  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高真空条件下での異なるn型ドープGaN(0001)表面の特性を解明するために,化学プローブ分子としてCOを用いた。COのドーピング依存性付着は,半導体基板の表面組成によって影響されない昇温脱離によって観察される。UV光子による半導体の励起により,COの低温脱着が促進された。絶対光子刺激脱着強度は表面組成に強く依存した。しかし,脱着速度は表面組成,半導体ドーピングまたはUV励起波長にあまり依存しなかった。GaN基板の電子特性に基づくモデルを導入し,ドーピング依存吸着と光化学挙動を記述した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  脱着速度 ,  光化学 ,  超高真空 ,  *脱着 ,  *窒化ガリウム ,  半導体 ,  低温 ,  昇温脱離 ,  *吸着 ,  紫外線 ,  付着
準シソーラス用語： 励起波長 ,  半導体ドーピング ,  表面組成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  CO ,  ドーピング ,  吸着 ,  光子刺激脱着