可視領域におけるGaN系超発光ダイオードの最近の進歩【JST・京大機械翻訳】

Castiglia A.; Rossetti M.; Malinverni M.; Mounir C.; Matuschek N.; Duelk M.; Velez C.

文献

J-GLOBAL ID：201902271549027685 整理番号：19A0793528

可視領域におけるGaN系超発光ダイオードの最近の進歩【JST・京大機械翻訳】

Recent progress on GaN-based superluminescent light-emitting diodes in the visible range

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資料名：
巻： 10532 ページ： 105321X-9 発行年： 2018年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

超発光ダイオード(SLED)は,レーザダイオード(LD)に似たビーム様光出力を有するが,より広い発光波長スペクトルを提供する。したがって,それらは短いコヒーレンス長さまたは低いスペックル雑音が必要とされる応用のための従来のLDに対する興味深い代替案である。赤,青,緑に発光する可視SLEDは,携帯型または着用可能なコンパクトな投影システムにおけるスペックルのない光源の製造のための理想的な候補である。本論文では,紫外スペクトル範囲におけるEXALOSのGaNベースSLED技術の現状をレビューし,440~460nmの発光を持つデバイスの性能に関する最近の進歩について報告する。さらに,より長い波長での光出力の達成における課題について議論した。事実として,低温で成長させたときのp型ドーピング効率の低下,活性領域の低結晶品質および熱安定性の低下が,緑色発光を達成するために解決され,解決されなければならない。c面自立GaN基板上に有機金属気相エピタクシー(MOVPE)によりエピタキシャル構造を成長させた。成長はリッジ導波路設計によるSLEDの標準的な作製に続いた。150mW(330mAの動作電流で)の記録CW出力と8%の壁プラグ効率(WPE)を発光波長>440nmで得た。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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発光素子

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