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J-GLOBAL ID：201902271551616589   整理番号：19A0873523

垂直準2D 1T-TaS₂デバイスにおける電荷密度波相転移の低周波雑音分光法

Low-frequency noise spectroscopy of charge-density-wave phase transitions in vertical quasi-2D 1T-TaS₂ devices

著者 (10件)： SALGADO Ruben (Univ. California, CA, USA) ,  MOHAMMADZADEH Amirmahdi (Univ. California, CA, USA) ,  KARGAR Fariborz (Univ. California, CA, USA) ,  GEREMEW Adane (Univ. California, CA, USA) ,  HUANG Chun-Yu (Univ. California, CA, USA) ,  BLOODGOOD Matthew A. (Univ. Georgia, GA, USA) ,  RUMYANTSEV Sergey (Univ. California, CA, USA) ,  RUMYANTSEV Sergey (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Warsaw, POL) ,  SALGUERO Tina T. (Univ. Georgia, GA, USA) ,  BALANDIN Alexander A. (Univ. California, CA, USA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 12  号： 3  ページ： 037001.1-037001.4  発行年： 2019年03月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直準二次元(2D)層状1T-TaS₂電荷密度波(CDW)素子における電子輸送に関する結果を報告する。低周波雑音分光法を,室温以下の準2D材料の交差面電気特性の変化を研究するツールとして用いた。雑音スペクトル密度は強いピークを示し,電気抵抗ステップに密接に整合する温度において,一桁以上変化した。いくつかの雑音ピークは,ほぼ整合したCDW遷移に対する整合の温度以下で現れ,おそらく,脱イオンされた隠れ相転移の存在を示している。これらの結果は,新しい材料における電子輸送と相転移の研究のための雑音分光法の可能性を確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *二次元 ,  *タンタル化合物 ,  *硫化物 ,  *相転移 ,  *電荷密度波 ,  低周波雑音 ,  層状化合物 ,  輸送現象 ,  *スペクトル ,  電気抵抗率 ,  化学反応
準シソーラス用語： *準二次元 ,  *TaS2 ,  *電荷密度波転移 ,  電子輸送 ,  *雑音スペクトル ,  脱イオン

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  相転移・臨界現象一般  (BL04010V)

引用文献 (35件)：

• G. Grüner, Rev. Mod. Phys. 60, 1129 (1988).
• S. V. Zaitsev-Zotov, Phys. Usp. 47, 533 (2004).
• R. E. Thorne, Phys. Today 49, 42 (1996).
• B. Sipos, A. F. Kusmartseva, A. Akrap, H. Berger, L. Forró, and E. Tutĭ, Nat. Mater. 7, 960 (2008).
• K. Rossnagel, J. Phys.: Condens. Matter 23, 213001 (2011).

タイトルに関連する用語 (7件)： 垂直 ,  2D ,  TaS2 ,  電荷密度波 ,  相転移 ,  低周波雑音 ,  分光法