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J-GLOBAL ID:201902271708440060   整理番号:19A1809992

二次元材料のドーピング駆動濡れ性:多重スケール理論【JST・京大機械翻訳】

Doping-Driven Wettability of Two-Dimensional Materials: A Multiscale Theory
著者 (6件):
資料名:
巻: 33  号: 44  ページ: 12827-12837  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0231B  ISSN: 0743-7463  CODEN: LANGD5  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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二次元(2D)材料界面における工学的分子相互作用は,機能性表面および分子エピタクシーにおける新しい技術的機会を可能にする。2D材料の濡れ性を理解することは,2D材料界面の界面力と電位の間の相互作用を定量化するための重要な第一段階である。ここでは,(i)2D材料表面エネルギーの変化(原子スケール,数オングストローム),(2)界面に隣接する液体分子の分子再配向(分子スケール,10~10~10~4nm),(3)液相で形成された電気二重層(EDL),を含む2D界面での多重スケール物理現象を適切に架橋することにより,ドープした2D材料の濡れ性をモデル化する最初の理論的枠組みを開発した。後者の二つの効果はドーピングによる接触角変化の原因となる主要な機構であることが分かったが,純粋な二次元材料の表面エネルギー変化は濡れ特性に正味の影響を及ぼさなかった。ドーピングレベルを静電的に調整すると,高い量子容量(例えば,遷移金属ジカルコゲニド,TMDC)を有する2D材料は,同じ印加ゲート電圧下で,界面張力においてより広い範囲の可同調性を有することを実証した。さらに,欠陥や空中汚染のような実際的な考察も定量的に検討した。著者らの分析は,ドーピングレベルが2D材料界面での濡れ性を調節するためのもう一つの変数であり,2D材料被覆表面上での分子充填挙動,本質的に2D材料の界面エンジニアリングを容易にすることを意味する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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固-液界面  ,  コロイド化学一般  ,  ミセル 
タイトルに関連する用語 (5件):
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