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J-GLOBAL ID：201902271837445222   整理番号：19A1885729

いくつかの転位中心を持つ結晶表面の成長速度【JST・京大機械翻訳】

Growth Rate of Crystal Surfaces with Several Dislocation Centers

著者 (4件)： Ohtsuka Takeshi (Division of Pure and Applied Science, Faculty of Science and Technology, Gunma University, Gunma, Japan) ,  Tsai Yen-Hsi Richard (Department of Mathematics, Institute for Computational Engineering and Science (ICES), The University of Texas at Austin, Texas, United States) ,  Tsai Yen-Hsi Richard (KTH Royal Institute of Technology, Sweden) ,  Giga Yoshikazu (Graduate School of Mathematical Sciences, The University of Tokyo, Japan)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 18  号： 3  ページ： 1917-1929  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いくつかの螺旋転位によって成長する結晶表面の成長速度を解析的および数値的に研究した。著者らは,著者らのレベルセット法([引用文献情報:原文を参照])によって計算された成長速度とBurtonら([引用文献情報:原文を参照])の古典的論文によって報告されたものとの間のいくつかの矛盾を観察した。不一致を解決するために,いくつかの構成における成長速度に関するいくつかの改善された推定を提案した。特に,有効成長が単一螺旋のそれに似ている共回転螺旋転位の臨界距離の定量的定義を与えた。さらに,一群の螺旋転位を含む結晶表面の成長速度を調べた。提案した新しい推定値は,著者ら([引用文献情報:原文を参照])によって発表されたアルゴリズムを用いた数値シミュレーションと一致した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 螺旋転位 ,  クラスタ ,  臨界 ,  *成長速度 ,  推定量 ,  アルゴリズム ,  数値シミュレーション ,  レベルセット法 ,  *結晶表面

分類 (2件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (3件)：

• J. Sci. Comput. 2015, 62, 831-874
• Philos. Trans. R. Soc. London A 1951, 243, 299-358
• J. Sci. Comput. 2015, 62, 831-874

タイトルに関連する用語 (3件)： 転位 ,  結晶表面 ,  成長速度