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J-GLOBAL ID：201902271885401698   整理番号：19A1888314

溶液中の酸化物基板上へのWO_3オリゴマの自己制限吸着【JST・京大機械翻訳】

Self-Limiting Adsorption of WO₃ Oligomers on Oxide Substrates in Solution

著者 (5件)： Muellner Matthias (Institute of Applied Physics, TU Wien, Austria) ,  Balajka Jan (Institute of Applied Physics, TU Wien, Austria) ,  Schmid Michael (Institute of Applied Physics, TU Wien, Austria) ,  Diebold Ulrike (Institute of Applied Physics, TU Wien, Austria) ,  Mertens Stijn F. L. (Institute of Applied Physics, TU Wien, Austria)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 36  ページ： 19743-19750  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物の電気化学的表面科学は,例えば合理的に設計された触媒の開発において期待される高い影響を持つ新しい分野である。このような触媒の目的は,活性を犠牲にすることなく,地球に豊富な元素により貴金属を置換することである。このような系の原子レベルの理解を得ることは,走査トンネル顕微鏡(STM)のような実験的表面特性化技術の使用に基づいており,タングステンチップは真空中および電気化学的条件下で最も広く使用されているプローブである。ここでは,W STMチップで自発的に生成されたタングステン酸塩(VI)酸化物が酸化物基板上に1D吸着質を形成する方法を示す原子分解能によるその場STM研究を示した。水溶液中のルチルTiO_2(110)と磁鉄鉱Fe_3O_4(001)の挙動を比較することにより,酸化物基板のゼロ電荷点以下で,静電学が水溶性WO_3を効率的に吸着し,サブ単分子層被覆までの自己制限様式で線形鎖を形成すると仮定した。1Dオリゴマは操作でき,走査プローブチップによりその場ナノパターン化できる。WO_3は,タングステン-水溶液界面で電位とpHの全ての条件下で自発的に形成されるので,この現象は酸化物と他の高吸着性材料の電気化学的表面科学におけるタングステンチップの使用性に関する重要な注意を同定する。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *基板 ,  ルチル ,  電気化学 ,  一次元 ,  被覆 ,  水溶液 ,  タングステン ,  *酸化物 ,  プローブ ,  *オリゴマ ,  キャラクタリゼーション ,  貴金属 ,  *吸着 ,  走査 ,  触媒

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶液 ,  酸化物 ,  オリゴマ ,  自己 ,  制限 ,  吸着