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J-GLOBAL ID：201902271989257961   整理番号：19A0182240

歪による自立ボロフェンの光電子特性の微調整【JST・京大機械翻訳】

Fine-Tuning the Optoelectronic Properties of Freestanding Borophene by Strain

著者 (3件)： Adamska Lyudmyla (Department of Electrical and Computer Engineering, Boston University, Massachusetts, United States) ,  Sharifzadeh Sahar (Department of Electrical and Computer Engineering, Boston University, Massachusetts, United States) ,  Sharifzadeh Sahar (Department of Physics and Division of Materials Science, Boston University, Massachusetts, United States)
資料名： ACS Omega  (ACS Omega)
巻： 2  号： 11  ページ： 8290-8299  発行年： 2017年 
JST資料番号： W5044A  ISSN： 2470-1343  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元ホウ素(ボロフェン)は有望な新しく合成された単層金属であり,有望な電子的および光学的性質を有する。ボロフェンは銀基板上に最近合成され,成長条件と表面配向に依存して種々の結晶構造と基板誘起歪を示す。ここでは,歪下でのボロフェン,β_12およびδ_6の2つの提案構造の構造および光電子特性の広範な第一原理研究を提示した。密度汎関数理論解析により,光吸収と電子バンド構造が歪の数%の応用で連続的に調整可能であることを決定した。両構造は6%までの中程度の歪をもつ金属を残しているが,複雑な誘電関数と光吸収の面内異方性だけでなくバンド構造の重要な特徴を著しく修正できる。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  第一原理 ,  二次元 ,  光吸収 ,  *光電子 ,  誘電関数 ,  結晶構造 ,  密度汎関数法 ,  銀 ,  バンド構造 ,  単一層
準シソーラス用語： 面内異方性 ,  電子バンド構造 ,  *微調整 ,  *ボロフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自立 ,  ボロフェン ,  光電子 ,  微調整