抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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結論:後期フッ素化反応は,基質範囲および官能基耐性に関して,従来の有機フッ素化学の合成限界を低減することを目的とする。C-F結合形成は一般的に熱力学的に有利であるが,高速度障壁とほぼ普遍的に関連している。PhenoFluor化学とは別に,今日までに報告されたほとんどの最新の芳香族フッ素化法は遷移金属触媒の使用に依存しており,C-F結合は還元的脱離によりしばしば形成される。C-X結合を作るための還元的脱離化学は,より高いMETAL-X結合解離エネルギーのために,C-CからC-Fへの周期的表におけるより高い原子番号への移動時にますます困難になる。還元的脱離によるC-C,C-NおよびC-O結合の形成は20世紀においてルーチンになったが,21世紀までは一般的なC-F結合形成をもたらす錯体を開発することができた。このような錯体の利用可能性は,従来のフッ素化のそれを超えるために,現代のフッ素化化学の基質範囲を可能にした。PhenoFluor化学は芳香族フッ素化化学のための従来の反応機構から離れている。代わりに,単一の中性四員遷移状態を経て進行するPhenoFluorに対する協奏求核芳香族置換反応(CS_NAr)を明らかにした。したがって,概念的に,PhenoFluor化学は通常のS_NAr化学とは異なり,反応中間体としてMeisenheimer錯体を用いた2障壁過程を通して典型的に進行する。結果として,PhenoFluor化学は従来のS_NAr化学よりも大きな基質範囲を有し,アニリンとして電子豊富なアレーン上で行うことができる。さらに,PhenoFluor化学はプロトン性官能基に耐性があり,それは現代の金属媒介プロセスとは別に設定される。第一および第二アミン,アルコール,チオールおよびフェノールは,C-NおよびC-O還元脱離がC-F還元脱離よりも低い活性化障壁を有するため,金属触媒後期フッ素化反応の下ではしばしば許容されない。PhenoFluor化学がC-F結合を形成する機構は,基質範囲と官能基耐性を合理化するだけでなく,副産物プロファイルを形成する。4員環遷移状態がipso置換を必要とするので,フッ素化異性体は観察されなかった。さらに,金属媒介法によりしばしば観察されるように,F取り込みの代わりにHを減少させた生成物は,これまでPhenofFluorにより観察されてきた。フェノール類とアルコール類の両方をフッ素化するために,PhenoFluor化学を用いることができる。PhenoFluorは,化学量論的に使用されなければならない高価な試薬であり,したがって,大規模に単純なフッ素化分子を作るために費用効率のよい方法を置き換えることができない。しかし,他のフッ素化法が失敗するとき,PhenofFluorはしばしば成功する。陽電子放出断層撮影(PET)のための18F標識分子の合成は,イメージング(典型的にナノモル)で使用される少量のPETトレーサーのために,材料スループットが問題でない現代のフッ素化化学の応用である。官能基許容性,副産物プロファイルおよび信頼性に重点を置いて,より厳しいコスト要件を組み合わせて,ヒトPET画像化に有望な18Fを用いたPhenofFluorベースのデオキシフッ素化を行った。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
