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J-GLOBAL ID：201902272293417989   整理番号：19A1055133

g-MoTe_2/WTe_2van der Waalsヘテロ構造のバンド整列変調【JST・京大機械翻訳】

The band alignments modulation of g-MoTe₂/WTe₂ van der Waals heterostructures

著者 (4件)： Li Honglin (College of Physics and Electronic Engineering, Chongqing Normal University, Chongqing, People’s Republic of China) ,  Cui Yuting (College of Physics and Electronic Engineering, Chongqing Normal University, Chongqing, People’s Republic of China) ,  Wang Tao (College of Physics and Electronic Engineering, Chongqing Normal University, Chongqing, People’s Republic of China) ,  Luo Haijun (College of Physics and Electronic Engineering, Chongqing Normal University, Chongqing, People’s Republic of China)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 125  号： 2  ページ： 1-10  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい二次元(2D)材料に基づくナノスケール電子デバイスの探索は,現在の研究におけるホットな話題である。外部条件を変えることによる材料の特定の物理的性質の変調が長く使われている。材料の特異的挙動を改善する種々の経路がある。本論文において,グラフェン(g)-MoTe_2/WTe_2ヘテロ界面の構造的,電子的,および対応する変分特性を,非局所van der Waals(vdW)補正によるab initio計算に基づいて詳細に研究した。著者らは,g-MoTe_2/WTe_2接触のバンド配列とSchottky障壁を減少させて,Ohm接触を得るための簡潔なルーチンに関する研究を実行した。結果は,中性状態において,g-MoTe_2/WTe_2に対して,それぞれ,62meVと280meVの障壁高さを予測した。印加電場において,対応するSchottky障壁は様々な電場によって効果的に調整できる。障壁の高さは,g-MoTe_2/WTe_2に対して,それぞれ-0.02/0.16V/Åおよび-0.06/0.08V/Åの下で0にさらに減少し,障壁および対応するSchottky型の数値値は,柔軟な方法で制御することができた。さらに,理論計算結果は,g-MoTe_2がg-WTe_2よりも小さいFermi準位ピン止め効果を有し,新しいトランジスタベースの2D材料の作製に重要な役割を果たし,FET応用のためのより良い選択であることを示した。Copyright 2019 Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： トランジスタ ,  Schottky障壁 ,  Fermi準位 ,  *電場 ,  グラフェン ,  二次元 ,  変分法
準シソーラス用語： 理論計算 ,  印加電圧 ,  障壁高さ ,  第一原理計算 ,  ヘテロ界面 ,  ナノデバイス ,  *バンドアライメント ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ構造 ,  バンド整列 ,  変調