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J-GLOBAL ID：201902272587466352   整理番号：19A0597546

金ナノ粒子触媒を用いてシリコン上に形成した無電解めっき膜の密着性の経時変化

著者 (8件)： 高坂祐一 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  藤居稜 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  山田直輝 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  福室直樹 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  阪本進 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  阪本進 (日本オイコス) ,  松本歩 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  八重真治 (兵庫県大 大学院工学研究科)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 70  号： 3  ページ： 174-176  発行年： 2019年03月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・本研究では,Si上にAuナノ粒子を触媒として修飾し,無電解ニッケル-リン(Ni-P)めっきを行い,形成しためっき膜の密着性の経時変化を調べるとともに,密着性発現に及ぼすAuナノ粒子の効果を検討。
・剥離試験は,単結晶p-Si板をCP4A溶液に3分間と7.3Mフッ化水素酸(HF)水溶液に2分浸漬前処理を施し,Auナノ粒子形成,無電解Ni-Pめっきを行った後,室温エージングした試料を使用。
・めっき膜の密着性は,室温エージングにより向上し,限界膜厚は7日まではエージング時間の1/2乗に比例して増加することが判明。
・以上により,めっき膜の密着性は,Auの拡散によるAu/Si界面の接合強度の増大が密着性向上の要因であると考察。

シソーラス用語： ケイ素 ,  単結晶 ,  ナノ粒子 ,  *ニッケルめっき ,  *めっき皮膜 ,  *密着性 ,  経時変化 ,  時効処理 ,  付着強さ
準シソーラス用語： エージング【時効】 ,  シリコン ,  金ナノ粒子 ,  *無電解ニッケルめっき

分類 (1件)： 無電解めっき  (WC08024S)

引用文献 (11件)：

• 1)S. Yae, K. Sakabe, N Fukumuro, S. Sakamoto, H. Matsuda ; J. Electrochem. Soc., 158, D573(2011).
• 2)A. E. Kaloyeros, E. Eisenbraun ; Annu. Rev. Mater. Sci., 30, 363(2000).
• 3)L. Castoldi, G. Visalli, S. Morin, P. Ferrari, S. Alberici, G. Ottaviani, F. Corni, R. Tonini, C. Nobili, and M. Bersani ; Microelectronic Engineering., 76, 153(2004).
• 4)M. Enomoto, S. Yae, S. Sakamoto, N. Fukumuro, H. Matsuda ; J. Surf. Finish. Soc. Jpn., 63, 781(2012).
• 5)M. Enomoto, S. Yae, S. Sakamoto, N. Fukumuro, H. Matsuda ; J. Surf. Finish. Soc. Jpn., 64, 682(2013).

タイトルに関連する用語 (7件)： 金ナノ粒子 ,  触媒 ,  シリコン ,  電解 ,  めっき膜 ,  密着性 ,  経時変化