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J-GLOBAL ID:201902272658989126   整理番号:19A2643526

GaドーピングによるCdTe量子ドットからZnOナノ膜への光誘起電荷移動の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning the photoinduced charge transfer from CdTe quantum dots to ZnO nanofilms through Ga doping
著者 (5件):
資料名:
巻: 96  ページ: Null  発行年: 2019年 
JST資料番号: W0468A  ISSN: 0925-3467  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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量子ドット(QD)と金属酸化物(MO)の間の電荷移動速度を調整することは,QD-MOデバイスの性能を改善するために重要である。そして,MOのエネルギーバンドを調整することは,電荷移動速度を調整する一つの方法である。本研究では,GaドーピングによりZnOナノ膜の光学バンドギャップを調整することにより,CdTe QDとZnOの間の電荷移動速度を増強した。GaドーピングはCdTe QD/ZnOハイブリッド構造の光ルミネセンス(PL)性能に影響した。時間分解蛍光スペクトルの結果は,CdTe QDからZnOナノ膜への電荷移動速度がZnO中のGaドーピング濃度を変えることによって調整できることを明らかにした。そして,移動速度はGaドーピングにより~4.1倍まで増加した。さらに,この構造は~25.3%の同調に対して電子移動効率改善を示した。バンド-バンド移動による効率的な電子移動とGaドーピングにより誘起された欠陥経路による改善を特性化した。実験結果は,QD/ZnOハイブリッド構造を用いた光学素子の効率改善に有用である。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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光物性一般  ,  酸化物の結晶成長  ,  無機化合物のルミネセンス 

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