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J-GLOBAL ID：201902272707121450   整理番号：19A1144007

抵抗ランダムアクセスメモリのためのハロゲン化物ペロブスカイト【JST・京大機械翻訳】

Halide perovskites for resistive random-access memories

著者 (5件)： Kim Hyojung (Department of Materials Science and Engineering, Research Institute of Advanced Materials, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Han Ji Su ,  Kim Sun Gil ,  Kim Soo Young ,  Jang Ho Won
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 7  号： 18  ページ： 5226-5234  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハロゲン化物ペロブスカイトに基づく抵抗性ランダムアクセスメモリ(ReRAM)デバイスは,それらのスイッチング材料-ハロゲン化物ペロブスカイトが近年かなりの注目を集めているので,新しいクラスの革新的データ記憶デバイスとして出現している。材料の電気的特性の中で,欠陥形成とマイグレーションにより生じる電流-電圧(I-V)ヒステリシスは,ReRAMが抵抗性スイッチング材料としてハロゲン化物ペロブスカイトを使用できることを意味する。抵抗スイッチング材料に関する多くの研究が行われている。しかし,ReRAMデバイスに対するハロゲン化物ペロブスカイトの研究はまだ初期の研究段階にある。したがって,ReRAMデバイスにおけるハロゲン化物ペロブスカイトの応用は研究の価値のある話題である。ここでは,ReRAMデバイス内のハロゲン化物ペロブスカイトとそれらの動作機構を紹介した。さらに,将来の課題に沿った最近の顕著な業績をレビューした。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気的性質 ,  *ハロゲン化物 ,  *RAM【メモリ】 ,  スイッチング ,  電圧 ,  電流 ,  ヒステリシス
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  欠陥形成 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  脂肪族アミン・イミン・第四アンモニウム・インモニウム  (CF03070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ ,  ハロゲン化物 ,  ペロブスカイト