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J-GLOBAL ID：201902272708805497   整理番号：19A0372454

量子ドットベース素子の熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Thermoelectric properties of Quantum Dot-based devices

著者 (3件)： Talbo V. (CNRS, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Univ. Paris-Sud, Universite ́, Paris-Saclay, C2N, 91405, Orsay France) ,  Dollfus P. (CNRS, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Univ. Paris-Sud, Universite ́, Paris-Saclay, C2N, 91405, Orsay France) ,  Saint-Martin J. (CNRS, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Univ. Paris-Sud, Universite ́, Paris-Saclay, C2N, 91405, Orsay France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： NANO  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 先進的な数値シミュレーションにより,逐次領域で動作するSi量子ドットに基づく単一電子トランジスタの熱電特性を,3D Poisson,SchroedingerおよびMaster方程式を自己無撞着に結合する著者らの自家製シミュレータを用いて調べた。高電圧バイアスでは,多重レベル効果が熱電流の非線形特性を誘起することを示した。さらに,発電機領域で動作する単一電子トランジスタは最大電力で非常に良好な効率を示すことを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  シミュレータ ,  三次元 ,  単一電子トランジスタ ,  バイアス ,  多重化 ,  *量子ドット ,  熱電流 ,  ケイ素
準シソーラス用語： ピーク電力 ,  数値シミュレーション ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (2件)： 量子ドット ,  熱電特性