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J-GLOBAL ID：201902272727510402   整理番号：19A0997673

TiO_2層を有するMnドープBiFeO_3薄膜における漏れ電流,増強された強誘電および誘電特性の低減【JST・京大機械翻訳】

Reduced leakage current, enhanced ferroelectric and dielectric properties in Mn-doped BiFeO₃ thin film composited with TiO₂ layers

著者 (6件)： Wang Y.Z. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan, 250022, China) ,  Liu R.R. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan, 250022, China) ,  Qian J. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan, 250022, China) ,  Sun X.S. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan, 250022, China) ,  Han Y.J. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan, 250022, China) ,  Yang C.H. (School of Materials Science and Engineering, University of Jinan, Jinan, 250022, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 45  号： 9  ページ： 12285-12289  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2mol%MnドープBi_1.05FeO_3(BFOMn,S0),BFOMn(S1)の表面にTiO_2層を有するBFOMn複合膜,BFOMn膜と基板(S2)の間の界面,ならびにBFOMn膜(S3)の両面に酸化インジウムスズ(ITO)/ガラス基板上に化学溶液堆積プロセスを通して調製した。微細構造,絶縁性,強誘電及び誘電性能に及ぼす異なる位置で蒸着したTiO_2層の影響を完全に調べた。二次相のない結晶化ペロブスカイト構造は全ての試料で良く維持された。粒径の増加は,TiO_2の導入により達成できる。これらの膜の中で,S3は大きな平均結晶粒サイズを有し,400kV/cm下で7.2×10~5A/cm2の漏れ電流密度,10kHzで3333kV/cmで82.3μC/cm2の比較的大きな残留分極(P_r)値,100kHzでより大きな誘電定数(~330)およびより小さい散逸因子(~0.04)を有した。これらの結果は,適切な位置にTiO_2層を導入することが,微細構造を改善し,BFOベースの膜の電気的性質を強化するための実行可能な方法であることを示している。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  酸化インジウムスズ ,  残留分極 ,  *薄膜 ,  *誘電性 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *漏れ電流 ,  誘電率 ,  結晶粒径 ,  微細構造 ,  結晶化 ,  複合膜 ,  界面
準シソーラス用語： 漏れ電流密度 ,  化学溶液堆積 ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 強誘電体 ,  新しいフィルム ,  BiFeO_3 ,  TiO_2層

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： Mn ,  ドープ ,  薄膜 ,  漏れ電流 ,  増強 ,  誘電特性