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J-GLOBAL ID:201902273002473332   整理番号:19A2868562

半空間グラフェンナノ構造近傍の量子エミッタの光-物質相互作用【JST・京大機械翻訳】

Light-matter interaction of a quantum emitter near a half-space graphene nanostructure
著者 (3件):
資料名:
巻: 100  号: 24  ページ: 245403  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 2469-9950  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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グラフェン半空間ナノ構造の端近くに置いた量子エミッタ(QE)のPurcell因子と自然放出スペクトルを,静電領域での半解析法を用いて調べた。半空間形状はエッジとバルク表面プラズモン(SP)モードを支持する。QEのPurcell因子は,10nmの分離距離において,面内波ベクトルの比値に対して,その放出エネルギーが共鳴エネルギーモードと一致するとき,8桁以上に増強される。異なる遷移双極子モーメント方位は,QEの増強因子に異なる影響を及ぼし,半空間幾何学上の異なる場所に位置するとき,大きな異方性挙動をもたらす。場分布を示し,ナノ構造の端におけるSPモードの励起を明確に示した。また,半空間グラフェンナノ構造近傍のQEの自然放出スペクトルを示し,強い光-物質結合が出現することを示した。10nsの自由空間寿命をもつQEをグラフェン半空間の端から10nmの距離に置いたとき,109meVのRabi分裂が0.15eVの発光エネルギーに対して見出された。著者らの寄与は,QEsとグラフェンナノ構造の組合せを用いた将来の量子応用の設計に用いることができる。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体結晶の電子構造  ,  磁性一般  ,  表面の電子構造 

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