センシング応用のための過減衰SNiS Josephson接合の超伝導特性と散逸特性【JST・京大機械翻訳】

Lacquaniti Vincenzo; Cassiago Cristina; De Leo Natascia; Fretto Matteo; Durandetto Paolo; Zhitlukhina Elena; Belogolovskii Mikhail

文献

J-GLOBAL ID：201902273088585999 整理番号：19A0511570

センシング応用のための過減衰SNiS Josephson接合の超伝導特性と散逸特性【JST・京大機械翻訳】

Superconducting and Dissipative Characteristics of Overdamped SNIS Josephson Junctions for Sensing Applications

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資料名：
巻： 27 号： 4 ページ： ROMBUNNO.2400205.1-5 発行年： 2017年
JST資料番号： W0177A ISSN： 1051-8223 CODEN： ITASE9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

適切に設計されたナノSQUIDのようなJosephson接合素子は,マイクロおよびナノエレクトロニクスのためのセンシング素子を提供することができる。本論文では,そのようなデバイスの特性を最適応答を持つために調整しなければならない。特に,それは,その温度安定性と,動作範囲における温度Tに及ぼす臨界超電流I_cの比較的弱い依存性を関連づけた。それを実現するために,凹形上向きI_c-versu-T曲線を必要とした。本論文の目的は,このような温度依存性が4層S/N-I-S Josephson接合で実現できる条件を調べ,過減衰挙動を維持することである。著者らは,I_c-対-T依存性の形状がS/N近接結合の強度に関する重要な情報をどのように提供できるかを示した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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