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J-GLOBAL ID：201902273229795557   整理番号：19A2094718

選択的タングステン化学蒸着を用いたナノ電気機械論理ゲート【JST・京大機械翻訳】

Nanoelectromechanical Logical Gates Utilising Selective Tungsten Chemical Vapor Deposition

著者 (6件)： Toan Nguyen Van (Department of Mechanical Systems Engineering, Tohoku University, Sendai, JAPAN) ,  Zhao Dong (Department of Mechanical Systems Engineering, Tohoku University, Sendai, JAPAN) ,  Inomata Naoki (Department of Mechanical Systems Engineering, Tohoku University, Sendai, JAPAN) ,  Toda Masaya (Department of Mechanical Systems Engineering, Tohoku University, Sendai, JAPAN) ,  Song Yunheub (Department of Electronic Engineering, Hanyang University, Seoul, KOREA) ,  Ono Takahito (Department of Mechanical Systems Engineering, Tohoku University, Sendai, JAPAN)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： TRANSDUCERS & EUROSENSORS XXXIII  ページ： 1709-1711  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 静電駆動シリコンナノ電気機械(NEM)スイッチ被覆タングステン(W)に基づくNANDとNOR論理ゲートを設計し,製作し,評価した。高アスペクト比のシリコン構造上への選択的に共形のW堆積を調べた。論理ゲートをうまく製作し,それらの機能を証明した。本研究は,複雑な機械的論理システムを製造するだけでなく,容量ギャップ幅を低減する方法に対しても可能性を開いた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ケイ素 ,  被覆 ,  スイッチ ,  *電気機械 ,  *化学蒸着 ,  高アスペクト比 ,  NAND
準シソーラス用語： 静電駆動 ,  *論理ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (4件)： タングステン ,  化学蒸着 ,  電気機械 ,  論理ゲート