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J-GLOBAL ID:201902273259933869   整理番号:19A0863226

フレキシブル基板上の単斜晶系β-Ga_2O_3ナノワイヤのin situ合成と太陽ブラインド光検出器【JST・京大機械翻訳】

In situ synthesis of monoclinic β-Ga2O3 nanowires on flexible substrate and solar-blind photodetector
著者 (12件):
資料名:
巻: 787  ページ: 133-139  発行年: 2019年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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β-Ga_2O_3に基づく柔軟な太陽ブラインド深紫外(UV)光検出器は,着用可能な携帯型UV光監視とスマート皮膚装置において重要な応用を有する。しかし,柔軟なデバイスは最大動作温度を制限し,低温で成長させた膜の非晶質性は不安定性を示す。本研究では,単斜晶β-Ga_2O_3ナノワイヤを,直径40~280nm,長さ1~数十ミクロン,高温下で,化学蒸着により,柔軟なガラス繊維織物上にその場合成した。β-Ga_2O_3ナノワイヤネットワークに基づく作製した光検出器は,254nmのUV光照射下で,I_光/I_暗比260,光応答性0.71A/W,減衰時間0.19sのような良好な太陽ブラインドUV光電性能を示した。一方,装置の性能は曲げ条件によって影響を受けなかった。簡単な作製法と優れた光電性能は,この素子が高い動作温度と高い安定性をもつ将来のフレキシブル太陽光検出器の有望な候補になることを明らかにした。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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測光と光検出器一般 

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