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J-GLOBAL ID：201902273319134519   整理番号：19A0954145

集光照射によるSiおよびGaAs基板のHall移動度変化と太陽電池特性への影響

Effect of Concentrated Light Irradiation on Hall Mobility of Si and GaAs Substrates for solar cell application

著者 (6件)： 松田真輝 (宮崎大) ,  立神秀弥 (宮崎大) ,  高内健二郎 (宮崎大) ,  碇哲雄 (宮崎大) ,  西岡賢祐 (宮崎大) ,  福山敦彦 (宮崎大)
資料名： 宮崎大学工学部紀要(Web)  (Memoirs of Faculty of Engineering, University of Miyazaki (Web))
号： 47  ページ： 77-82 (WEB ONLY)  発行年： 2018年07月 
JST資料番号： U0521A  ISSN： 0540-4924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 大量のキャリア発生の効果を議論するために,集光光照射下でのSiとGaAs試料のHall測定を行った。全てのSi試料のHall移動度は,太陽光密度の増加と共に直線的に減少した。これらの減少は,高いドーピング濃度の試料を用いることにより防止できることも分かった。数値計算との比較から,Hall移動度の減少は2種類の光生成キャリア(電子と正孔)の増加に起因すると結論した。不純物ドーピング濃度の関数としてのHall移動度の計算は,Si太陽電池使用のための適切なドーピング濃度が,n型とp型Si基板の両方において10¹⁶cm^-3であると考えられることを示した。一方,n-GaAsおよびp-GaAsのHall移動度は16sun密度照射でも変化しなかった。Hall移動度は,GaAsでの高い電子移動度のために大量のキャリア発生によって影響されないことを説明できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  基板 ,  *Hall移動度 ,  *ウエハ【IC】 ,  光照射 ,  集光 ,  *太陽電池 ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  キャリア生成 ,  数値計算 ,  電子移動 ,  不純物 ,  光生成 ,  太陽光
準シソーラス用語： *GaAs基板 ,  *Si基板 ,  シリコンウエハ

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 集光照射 ,  Si ,  GaAs基板 ,  Hall移動度 ,  太陽電池