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J-GLOBAL ID：201902273424633245   整理番号：19A1415954

リチウム-シリコン電極のヒステリシス現象の特性化と明確化へのアプローチ【JST・京大機械翻訳】

An approach to characterize and clarify hysteresis phenomena of lithium-silicon electrodes

著者 (3件)： Baker Daniel R. (Chemical and Material Systems Laboratory, General Motors Research and Development Center, 30500 Mound Road, Warren, Michigan 48090, USA) ,  Verbrugge Mark W. (Chemical and Material Systems Laboratory, General Motors Research and Development Center, 30500 Mound Road, Warren, Michigan 48090, USA) ,  Xiao Xingcheng (Chemical and Material Systems Laboratory, General Motors Research and Development Center, 30500 Mound Road, Warren, Michigan 48090, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 122  号： 16  ページ： 165102-165102-11  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 観測された電圧ヒステリシスの主な特徴を記述するモデルの開発と実装により,リチウム化シリコン電極で観測されたヒステリシス挙動を明らかにした。特に,0.01mV/sでの遅い走査ボルタンメトリーを用いて,リチウム化シリコン薄膜電極におけるヒステリシスを研究した。より高い走査速度では,Uが電圧とxが電荷状態である曲線U(x)は走査速度に依存するが,遅い速度で走査すると曲線に差は見られない。例えば,同じヒステリシス挙動が両方の走査速度に対して観察されるにもかかわらず,0.01mV/sまたは0.005mV/sでは差は見られない。すなわち,リチオ化曲線は脱リチオ曲線と著しく異なる。0.005mV/sの速度は最先端の装置で測定できる最も遅い。しかし,0.01mV/sでのリチオ化走査が開回路条件に突然設定されると,電圧はゆっくり減衰し,一方,電圧は脱リチウムが中断されると下方に減衰する。これから,0.005と0.01mV/sで見られる速度不変性は,もし測定できれば,いくつかの低い走査速度で破壊しなければならないと推論される。半経験的モデルを用いて,速度不変性の領域の仮定に基づいてこの挙動の多くの側面を記述した。これは輸送と速度論的損失によるより高い走査速度で破壊するが,観測可能であるが,説明できない過渡現象による遅い走査速度で破壊する。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 過渡現象 ,  速度論 ,  電圧 ,  不変性 ,  ボルタンメトリー ,  開路 ,  *ヒステリシス ,  走査 ,  曲線 ,  *キャラクタリゼーション ,  リチオ化
準シソーラス用語： 脱リチウム ,  荷電状態 ,  走査速度 ,  シリコン薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： リチウム ,  シリコン ,  ヒステリシス現象 ,  特性化