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J-GLOBAL ID：201902273464231710   整理番号：19A0890927

非対称ゲート容量を持つ単一共通ゲート4重ドット素子における単一電子ポンピング

Single-electron pumping in single-common-gate quadruple-dot devices with asymmetric gate capacitances

著者 (2件)： IMAI Shigeru (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ITO Yuma (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 3  ページ： 034001.1-034001.8  発行年： 2019年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非対称ゲート容量(C_g)を持つ単一共通ゲート四重ドット単一電子デバイスは,一つのゲート電圧を交互に変えることにより,単一電子を負バイアス電極に移すことができる。以前に報告された共通ゲート三重ドットポンピング装置のC_g分布は単調なものに限られているが,ポンピングは鋸歯や種々のランダムC_g分布のような非単調C_g分布に対して可能であった。単一電子が移動できる負バイアス電圧の最大絶対値は0.2181・e/C_jであり,ここでeは基本電荷であり,C_jは接合容量である。これは,単調なC_j分布を有する一般的なゲート三重ドットポンピング装置における最大のものより2.7倍大きかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *非対称性 ,  *容量 ,  *電子 ,  電圧 ,  励起 ,  *半導体素子 ,  *単一電子 ,  *単一電子素子
準シソーラス用語： 非対称 ,  *ゲート容量 ,  ゲート電圧 ,  電荷ポンピング ,  バイアス電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (32件)：

• H. Pothier, P. Lafarge, C. Urbina, D. Esteve, and M. H. Devoret, Europhys. Lett. 17, 249 (1992).
• Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe, Electron. Lett. 31, 136 (1995).
• L. P. Kouwenhoven, A. T. Johnson, N. C. van der Vaart, C. J. P. M. Harmans, and C. T. Foxon, Phys. Rev. Lett. 67, 1626 (1991).
• A. Fujiwara, N. M. Zimmerman, Y. Ono, and Y. Takahashi, Appl. Phys. Lett. 84, 1323 (2004).
• A. Fujiwara, K. Nishiguchi, and Y. Ono, Appl. Phys. Lett. 92, 042102 (2008).

タイトルに関連する用語 (6件)： 非対称 ,  ゲート容量 ,  ゲート ,  ドット ,  単一電子 ,  ポンピング