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J-GLOBAL ID:201902273556728831   整理番号:19A2778549

欠陥3C-SiCセラミックの引張特性を含む分子動力学シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Study of tensile properties on containing defects 3C-SiC ceramics by molecular dynamics simulation
著者 (6件):
資料名:
巻: 36  号:ページ: 688-695  発行年: 2019年 
JST資料番号: C2079A  ISSN: 1000-0364  CODEN: YYFXEM  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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SiC繊維強靭化SiCマトリックス複合材料(SiCf/SiC)は,その優れた性質のため,次世代原子力エネルギーシステムの重要な候補材料の一つである。材料中の欠陥が材料の機械的性質を変化させるため、本論文では、分子動力学プログラムLAMMPSシミュレーションを用いて、それぞれ空孔、マイクロ空洞とアンチサイト置換の3種類の欠陥を含む3C-SiC構造系が[100]方向に沿った引張変形過程を計算した。原子間相互作用はTersoff多体ポテンシャルを用いて記述した。異なる欠陥系の応力-歪曲線と引張過程のエネルギーを計算し,応力-歪曲線を解析することにより,異なる欠陥系のヤング率,破壊歪,引張強さが欠陥濃度と共に変化する関係が得られ,最後に,3C-SiCの引張破壊機構を解析した。研究の結果、空孔と微小空洞のヤング率、引張り強度への影響は類似しており、いずれも欠陥の「濃度」の増加に伴い減少し、アンチサイト置換欠陥は、系のヤング率が欠陥「濃度」の増加に伴い増大することが分かった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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原子・分子のクラスタ  ,  半導体の格子欠陥 
タイトルに関連する用語 (4件):
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