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J-GLOBAL ID：201902273558414756   整理番号：19A1640869

正孔輸送層の合理的設計による反転ペロブスカイト太陽電池の同時増強性能と安定性【JST・京大機械翻訳】

Simultaneously enhanced performance and stability of inverted perovskite solar cells via a rational design of hole transport layer

著者 (13件)： Lin Zhenhua (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Lin Zhenhua (Advanced Interdisciplinary Research Center for Flexible Electronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhou Jiawen (The State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology Guangzhou, 510640, China) ,  Zhou Long (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Wang Kaixuan (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Li Wenqiang (The State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology Guangzhou, 510640, China) ,  Su Jie (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Su Jie (Advanced Interdisciplinary Research Center for Flexible Electronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Hao Yue (Advanced Interdisciplinary Research Center for Flexible Electronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Li Yuan (The State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, South China University of Technology Guangzhou, 510640, China) ,  Chang Jingjing (State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Chang Jingjing (Advanced Interdisciplinary Research Center for Flexible Electronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 73  ページ： 69-75  発行年： 2019年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面エンジニアリングは,高性能ペロブスカイト太陽電池を達成するために非常に重要である。ここでは,ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホン酸塩(PEDOT:PSS)の代替としてのスルホン化アセトン-ホルムアルデヒド(PEDEO:SAF)を,膜の電気的性質を効率的に改善し,電荷移動と抽出を強化し,最終的に反転ペロブスカイト太陽電池の効率と安定性を強化するために,ポリ(3,4-エチレンジオキシ-チオフェンに基づく,調製した持続可能な正孔輸送層(HTL)を報告した。PEDOT:PSS HTLと比較して,PEDOT:PSS HTLは,より高い膜伝導率とより少ない酸性度を有し,デバイスの非常に改善された環境安定性をもたらした。本研究はPEDOT:PSSが高性能で安定なペロブスカイト太陽電池用の効率的HTLであることを示唆した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *スルホン化 ,  電気的性質 ,  界面 ,  電荷移動 ,  酸性度
準シソーラス用語： PEDOT:PSS ,  伝導率 ,  *ペロブスカイト太陽電池 ,  *正孔輸送層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  正孔輸送層 ,  PEDOT:PSS PSS ,  PEDOT:PSS SAF ,  膜伝導率

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 正孔輸送層 ,  設計 ,  反転 ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  増強 ,  安定性