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J-GLOBAL ID：201902273734704840   整理番号：19A0514869

太陽ブラインドAlGaNアバランシェフォトダイオードの改良設計【JST・京大機械翻訳】

An Improved Design for Solar-Blind AlGaN Avalanche Photodiodes

著者 (8件)： Cai Qing (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Ge Mei (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Xue Junjun (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Hu Liqun (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Chen Dunjun (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Lu Hai (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zhang Rong (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zheng Youdou (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Photonics Journal  (IEEE Photonics Journal)
巻： 9  号： 4  ページ： ROMBUNNO.6803507.1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2436A  ISSN： 1943-0655  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正孔の衝撃イオン化係数を高めるために,低Al組成AlGaN増倍層と周期フォトニック結晶に基づくフィルタを用いて,分離吸収と増倍領域の間の組成傾斜中間層と共に改良した太陽ブラインドAlGaN雪崩シェフォトダイオード(APD)構造を提案した。シミュレーション結果は,改良APDが,従来の対応物と比較して,より低い破壊電圧と暗電流,およびより高い光学利得を示すことを示した。さらに,組成傾斜中間層は,電場分布を調整することに加えて,ヘテロ構造界面の有利なエネルギーバンドプロファイルを修正することができ,それは,吸収領域から乗算領域への正孔の注入に有益であることを見出した。したがって,著者らは,層間のドーピング濃度と厚さを最適化し,APD性能に及ぼすこれらのパラメータの影響を分析した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正孔 ,  フィルタ ,  界面 ,  *アバランシェフォトダイオード ,  暗電流 ,  シミュレーション ,  ドーピング ,  最適化 ,  *太陽 ,  乗算
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  絶縁破壊電圧 ,  中間層 ,  組成傾斜 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽 ,  ブラインド ,  AlGaN ,  アバランシェフォトダイオード ,  設計