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J-GLOBAL ID:201902273967463198   整理番号:19A0553510

CdTe/ZnTe量子ドットに埋め込まれた単一[数式:原文を参照]イオンに対するゼロ場分裂の直接決定【JST・京大機械翻訳】

Direct determination of the zero-field splitting for a single [Formula : see text] ion embedded in a CdTe/ZnTe quantum dot
著者 (11件):
資料名:
巻: 97  号:ページ: 045305  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 2469-9950  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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[数式:原文を参照]不純物が半導体構造中に埋め込まれると,結晶歪はスピン射影[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]との[数式:原文を参照]状態間のゼロ磁場分裂に強く影響する。この効果の実験的証拠を以前の研究で与えた;しかし,歪誘起ゼロ磁場分裂の直接測定は今までにアクセスできなかった。ここでは,この分裂をZnTe障壁中のエピタキシャルCdTe量子ドット中の個々の[数式:原文を参照]イオンの磁気光学的研究により決定した。部分的に許容される光学遷移を用いて,励起子光ルミネセンススペクトルにおける[数式:原文を参照]イオンの歪誘起ゼロ磁場分裂を直接測定した。さらに,磁場中での[数式:原文を参照]および[数式:原文を参照]スピン状態の反交差の観測により,[数式:原文を参照]に作用する結晶場の軸方向および面内成分を決定した。提案した方法は,量子ドット中の他の遷移金属イオンのゼロ磁場分裂の光学的決定に適用できる。Copyright 2019 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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半導体のルミネセンス  ,  励起子  ,  その他の無機化合物の磁性 

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