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J-GLOBAL ID：201902273992936504   整理番号：19A0259705

半導体の新しいファミリーとしての構造的に定義されたグラフェンナノリボンの溶液および表面上での合成【JST・京大機械翻訳】

Solution and on-surface synthesis of structurally defined graphene nanoribbons as a new family of semiconductors

著者 (4件)： Narita Akimitsu (Max Planck Institute for Polymer Research, Ackermannweg 10, D-55128 Mainz, Germany. [e-mail] [e-mail]) ,  Chen Zongping ,  Chen Qiang ,  Muellen Klaus
資料名： Chemical Science (Web)  (Chemical Science (Web))
巻： 10  号： 4  ページ： 964-975  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7042A  ISSN： 2041-6539  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンナノリボン(GNRs)はグラフェンの準一次元サブユニットであり,ゼロバンドギャップのグラフェンと対照的に開いたバンドギャップを有する。炭素系半導体の新しいファミリーとしてのGNRsの高い可能性,例えばナノ電子およびオプトエレクトロニクス応用は,GNRsの製造に向けての研究の試みを促進した。グラフェンのリソグラフィーパターン形成やカーボンナノチューブのアンジッピングなどの主要なトップダウン法は欠陥形成を防ぐことができない。対照的に,テーラーメイド分子前駆体から出発するボトムアップ化学合成は,原子的に正確なGNRsを達成することができる。この説明において,3つの異なる方法,すなわち(1)溶液中,(2)超高真空(UHV)条件下での表面,(3)化学蒸着(CVD)による表面上でのGNRsのボトムアップ合成における最近の研究進歩を要約した。溶液合成により,長い(>600nm)と液相処理可能なGNRsの作製が可能になり,それらはエッジで機能化できる。一方,UHV下での表面上合成はジグザグGNRsの形成と原子分解能走査プローブ顕微鏡によるそれらの化学構造のその場可視化を可能にした。UHV下での表面上合成は典型的に費用がかかり,限られたスケーラビリティを有するが,工業的に実行可能なCVD法は大きなGNR膜の低コスト生産を可能にする。この三つの方法を,手頃なGNR構造と,デバイス集積のための後処理と共に,それらの電子的および光学的性質の結果としての制御に関して比較した。さらに,ボトムアップGNRsの分野における将来展望に関する見解を提供した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 炭素 ,  可視化 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  *半導体 ,  オプトエレクトロニクス ,  *グラフェン ,  化学蒸着 ,  超高真空 ,  化学合成 ,  カーボンナノチューブ ,  リソグラフィー ,  パターン形成 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： ボトムアップ ,  *グラフェンナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 生物物理的研究法  (EA03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ファミリー ,  定義 ,  グラフェンナノリボン ,  溶液