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J-GLOBAL ID：201902274519287921   整理番号：19A1414311

InAs/GaSb/InSb/GaSb超格子に基づく超長波赤外検出器の顕著に拡張されたカットオフ波長【JST・京大機械翻訳】

Significantly extended cutoff wavelength of very long-wave infrared detectors based on InAs/GaSb/InSb/GaSb superlattices

著者 (11件)： Jiang Dongwei (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Han Xi (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Hao Hongyue (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Sun Yaoyao (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Jiang Zhi (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Lv Yuexi (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Guo Chunyan (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Wang Guowei (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Xu Yingqiang (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Yu Yang (Wuhan Global Sensor Technology Co., Ltd., Wuhan 430000, China) ,  Niu Zhichuan (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 16  ページ： 161101-161101-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に長波長の赤外(VLWIR)InAs/GaSb/Sb/GaSb超格子におけるバンドギャップの可同調性を報告した。経験的タイト結合法を用いた計算は,正常タイプII二元InAs/GaSb超格子のGaSb層の中間に薄いInSb層を挿入することにより価電子バンドのエネルギー準位を調整する柔軟性を示した。15ML InAs/7ML GaSb活性領域を有するいくつかの障壁構造フォトダイオードの実験的実現を通して,カットオフ波長を,GaSb層の異なる位置に0.6ML InSbを挿入することによって14.5μmから18.2μmまで拡大した。理論的予測と実験測定の一致は,InAs層の厚さを増加させることなく,非常に長波長の赤外検出を実現するためのこの利点を利用する方法を示唆した。77Kにおいて,カットオフ波長16.9μmの非常に長い波長検出器の量子効率は最大値30%に達し,R_0Aは10Ωcm2の安定値に保たれ,ピーク検出能は2.73×1011cmHz~1/2/Wであった。320×256の非常に長い波長の焦点面アレイの応答性における操作性と均一性は,88%と80%であった。65Kでの雑音等価温度差は,25mKでピークを示し,0.5ms,300Kバックグラウンド,およびf/2光学の積分時間で,60mKの平均値に対応した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 量子効率 ,  *波長 ,  *アンチモン化ガリウム ,  バンドギャップ ,  *ヒ化インジウム ,  *超格子 ,  フォトダイオード ,  雑音 ,  柔軟性 ,  予測 ,  *赤外検出器 ,  *アンチモン化インジウム ,  *赤外線
準シソーラス用語： 温度差 ,  *カットオフ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： InAs ,  GaSb ,  InSb ,  超格子 ,  超長波 ,  赤外検出器 ,  拡張 ,  カットオフ ,  波長