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J-GLOBAL ID：201902274524119898   整理番号：19A1565978

極薄一回被覆技術を有するTFA-MOD法で製造したBaZrO₃ドープ(Y,Gd)Ba₂Cu₃O_y被覆伝導体の結晶化挙動のTEM調査

TEM Study of Crystallization Behavior of BaZrO₃ Doped (Y,Gd)Ba₂Cu₃O_y Coated Conductors Fabricated by the TFA-MOD Method with Ultra-Thin Once-Coating Technique

著者 (5件)： YOSHIDA Ryuji (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  NAKAOKA Koichi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN) ,  KATO Takeharu (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  MIURA Masashi (Seikei Univ., Tokyo, JPN) ,  IZUMI Teruo (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
資料名： AMTC Letters  (AMTC Letters)
巻： 6  ページ： 180-181  発行年： 2019年06月 
JST資料番号： L7013A  ISSN： 1882-9465  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *銅酸化物超伝導体 ,  バリウム化合物 ,  ジルコニウム酸塩 ,  ドーピング ,  被覆 ,  薄膜 ,  *結晶化 ,  *電子顕微鏡観察

分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 被覆技術 ,  TFA-MOD法 ,  ドープ ,  Gd ,  結晶化挙動 ,  TEM ,  調査