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J-GLOBAL ID：201902274550990450   整理番号：19A1898558

密度波材料における低磁場極限での線形磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Linear magnetoresistance in the low-field limit in density-wave materials

著者 (14件)： Feng Yejun (Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University, Onna, 904-0495 Okinawa, Japan) ,  Wang Yishu (Division of Physics, Mathematics, and Astronomy, California Institute of Technology, Pasadena, CA 91125) ,  Silevitch D. M. (Division of Physics, Mathematics, and Astronomy, California Institute of Technology, Pasadena, CA 91125) ,  Yan J.-Q. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN 37831) ,  Kobayashi Riki (Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University, Onna, 904-0495 Okinawa, Japan) ,  Kobayashi Riki (Faculty of Science, University of the Ryukyus, Nishihara, 903-0213 Okinawa, Japan) ,  Hedo Masato (Faculty of Science, University of the Ryukyus, Nishihara, 903-0213 Okinawa, Japan) ,  Nakama Takao (Faculty of Science, University of the Ryukyus, Nishihara, 903-0213 Okinawa, Japan) ,  Onuki Yoshichika (Faculty of Science, University of the Ryukyus, Nishihara, 903-0213 Okinawa, Japan) ,  Suslov A. V. (National High Magnetic Field Laboratory, Tallahassee, FL 32310) ,  Mihaila B. (National Science Foundation, Arlington, VA 22230) ,  Littlewood P. B. (The James Franck Institute, The University of Chicago, Chicago, IL 60637) ,  Littlewood P. B. (Department of Physics, The University of Chicago, Chicago, IL 60637) ,  Rosenbaum T. F. (Division of Physics, Mathematics, and Astronomy, California Institute of Technology, Pasadena, CA 91125)
資料名： Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America  (Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America)
巻： 116  号： 23  ページ： 11201-11206  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0387A  ISSN： 0027-8424  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 材料の磁気抵抗(MR)は典型的には印加磁場方向の反転に鈍感で,低磁場極限において磁場により二次的に変化する。量子効果,異常なトポロジー的バンド構造,および電流経路をwanることに導く不均一性は,磁場の増加とともに二次から線形MRへのクロスオーバを誘起することができる。ここでは,非常に大きな正の線形MRを示す一連の金属電荷とスピン密度波系を調べた。他の線形MR機構とは対照的に,この効果は,低温で数十のOerstedのミニュール磁場に対してロバストなままである。密度波による部分的にギャップのあるFermi面をもつ材料の広いカテゴリーに対する半古典的記述におけるこの現象の説明を行った。Copyright 2019 The Author(s). Published by PNAS. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スピン密度波 ,  *線形性 ,  位相幾何学 ,  *弱磁場 ,  *磁場 ,  不均一性 ,  *密度波 ,  バンド構造 ,  Fermi面 ,  電荷 ,  低温 ,  *磁気抵抗 ,  ロバスト性
準シソーラス用語： クロスオーバー ,  印加磁場 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 線形磁気抵抗 ,  密度波材料 ,  Fermi面

分類 (5件)： 生体計測  (EL03020C) ,  プラズマ中の電磁波  (BJ02032F) ,  生物物理的研究法  (EA03020V) ,  中枢神経系  (EJ12030F) ,  精神科の臨床医学一般  (GR01030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 密度波 ,  低磁場 ,  極限 ,  線形 ,  磁気抵抗