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J-GLOBAL ID：201902274683375758   整理番号：19A0866106

小型画素p-i-n HgCdTe長波長赤外フォトダイオードにおける光子リサイクル効果【JST・京大機械翻訳】

Photon recycling effect in small pixel p-i-n HgCdTe long wavelength infrared photodiodes

著者 (4件)： Kopytko M. (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Urbanowicza Str., 00-908 Warsaw, Poland) ,  Jozwikowski K. (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Urbanowicza Str., 00-908 Warsaw, Poland) ,  Martyniuk P. (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Urbanowicza Str., 00-908 Warsaw, Poland) ,  Rogalski A. (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Urbanowicza Str., 00-908 Warsaw, Poland)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 97  ページ： 38-42  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高動作温度赤外検出器の成長要求と画素サイズの低減は,近年の材料と技術の改善のための重要な駆動者の一つである。HgCdTeにおける長いShockley-Read-Hall寿命は,室温動作に対するこの材料の使用を示していると予測されている。完全に枯渇した逆バイアス長波長赤外p-on-n HgCdTeヘテロ接合フォトダイオードはHOT要件を満たす。このような条件において,Auger再結合は排除され,低い発生電流のために,検出器性能はバックグラウンドによって制限され得る。これらの考察において,放射再結合の影響を異なる方法で処理した。本論文では,光子リサイクリング効果が,80~230Kの間の広い温度範囲における小ピクセルHgCdTeフォトダイオードの性能に及ぼす放射再結合の影響を制限することを示した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  *画素 ,  ヘテロ接合 ,  高温 ,  *リサイクル ,  *光子 ,  赤外検出器 ,  *テルル化カドミウム水銀 ,  電流 ,  検出器
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  放射再結合 ,  Auger再結合 ,  逆バイアス ,  動作温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： HgCdTeフォトダイオード ,  高温検出器 ,  放射過程 ,  光子リサイクル ,  小さなピクセル

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (6件)： 画素 ,  HgCdTe ,  長波長赤外 ,  フォトダイオード ,  光子 ,  リサイクル