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J-GLOBAL ID：201902274714764116   整理番号：19A1814808

鉛フリーAlNベース圧電材料(Mg,Hf)_xAl_1-xNの高スループット研究【JST・京大機械翻訳】

High-Throughput Investigation of a Lead-Free AlN-Based Piezoelectric Material, (Mg,Hf)_xAl_1-xN

著者 (4件)： Nguyen Hung H. (Department of Robotics, Tohoku University, Japan) ,  Oguchi Hiroyuki (Advanced Institute for Materials Research (AIMR), Tohoku University, Japan) ,  Van Minh Le (Department of Robotics, Tohoku University, Japan) ,  Kuwano Hiroki (Department of Robotics, Tohoku University, Japan)
資料名： ACS Combinatorial Science  (ACS Combinatorial Science)
巻： 19  号： 6  ページ： 365-369  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1756A  ISSN： 2156-8952  CODEN： ACSCCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能AlNベース圧電材料の開発を目的として,(Mg,Hf)_xAl_1-xN薄膜(0<x<0.24)の基本特性の高スループット研究を行った。高スループット研究のために,AlNとMgHfターゲットを同時スパッタリングすることにより,600°CでSi(100)基板上に成長させた組成勾配(Mg,Hf)_xAl_1-xN膜を調製した。単一試料内の異なる位置における種々の組成の特性を測定するために,空間分解能を有するキャラクタリゼーション技術を用いた。1.0mmのビームスポット直径を持つX線回折(XRD)により,MgとHfはAlサイトに置換され,x=0から5.11Åの範囲で,AlNのc軸が5.00Åからx=0.24に伸びていることを確認した。さらに,応用デバイスとして用いる圧電材料に必要な単軸結晶配向と高結晶性を確認した。圧電応答顕微鏡は,このc軸伸びが圧電係数をx=0に対して1.48pm/Vからx=0.24に対して5.19pm/Vにほぼ直線的に増加させることを示した。(Mg,Hf)_xAl_1-xNの誘電率を,~0.07mm2電極を有する平行平板キャパシタ構造を用いて研究し,置換によりわずかな増加を示した。これらの結果は,(Mg,Hf)_xAl_1-xNが圧電ベースの応用デバイス,特に振動エネルギーハーベスタのための有望な材料であることを検証した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  誘電率 ,  *圧電材料 ,  薄膜 ,  *圧電気 ,  キャラクタリゼーション ,  *マグネシウム ,  *窒化アルミニウム ,  ドーピング ,  一軸 ,  結晶方位 ,  伸び ,  コンデンサ ,  *ハフニウム ,  アルミニウム
準シソーラス用語： *鉛フリー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Mg/Hf共ドープAlN ,  圧電材料 ,  組合せアプローチ ,  圧電係数 ,  誘電率

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 鉛フリー ,  AlN ,  圧電材料 ,  Mg ,  HF ,  高スループット ,  研究