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J-GLOBAL ID：201902274870564109   整理番号：19A1406678

PdSe_2:エレクトロニクス用の高空気安定性を持つ五角形二次元層【JST・京大機械翻訳】

PdSe₂: Pentagonal Two-Dimensional Layers with High Air Stability for Electronics

著者 (22件)： Oyedele Akinola D. (Bredesen Center for Interdisciplinary and Graduate Education, University of Tennessee, Tennessee, United States) ,  Oyedele Akinola D. (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Yang Shize (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Liang Liangbo (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Puretzky Alexander A. (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Wang Kai (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Zhang Jingjie (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Zhang Jingjie (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Virginia, United States) ,  Yu Peng (Center for Programmable Materials, School of Materials Science & Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Pudasaini Pushpa R. (Department of Materials Science and Engineering, University of Tennessee, Tennessee, United States) ,  Ghosh Avik W. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Virginia, Virginia, United States) ,  Liu Zheng (Center for Programmable Materials, School of Materials Science & Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Rouleau Christopher M. (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Sumpter Bobby G. (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Sumpter Bobby G. (Computational Sciences & Engineering Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Chisholm Matthew F. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Zhou Wu (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Rack Philip D. (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Rack Philip D. (Department of Materials Science and Engineering, University of Tennessee, Tennessee, United States) ,  Geohegan David B. (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Xiao Kai (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Xiao Kai (Bredesen Center for Interdisciplinary and Graduate Education, University of Tennessee, Tennessee, United States)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 139  号： 40  ページ： 14090-14097  発行年： 2017年10月11日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ほとんどの研究された二次元(2D)材料は,高い格子対称性のために等方性挙動を示す。しかし,ホスホレンや他の元素2D材料のような低対称2D材料は非常に興味深い異方性を示す。本研究では,バルク結晶から剥離した数層PdSe_2の原子構造,電子特性,および振動モードを報告する。これらは,空気中で安定なpuckered形態を持つ五角形二次元層状貴金属二カルコゲン化物である。マイクロ吸収光学分光法と第一原理計算は,この材料の0(バルク)から1.3eV(単分子層)への広いバンドギャップ変化を明らかにした。PdSe_2のRaman活性振動モードを偏光Raman分光法を用いて同定し,強い層間相互作用を,第一原理Ramanシミュレーションと一致する大きな,厚さ依存Ramanピークシフトから明らかにした。少数層PdSe_2から作製した電界効果トランジスタは,約158cm2V-1s-1の高い電子電界効果移動度をもつ可変同調両極性電荷キャリア伝導を示し,2Dエレクトロニクス用のこの異方性,空気安定性,五角形二次元材料の有望性を示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 第一原理 ,  偏光 ,  貴金属 ,  異方性 ,  バンドギャップ ,  振動モード ,  等方性 ,  *二次元 ,  シミュレーション ,  単分子層 ,  *電子技術
準シソーラス用語： 両極性 ,  ピークシフト ,  第一原理計算 ,  フォスフォレン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (3件)： エレクトロニクス ,  安定性 ,  五角形