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J-GLOBAL ID：201902274992536570   整理番号：19A2110910

非常に薄い非ドープBi_2Te_3ナノメッシュにおけるエッジ由来の磁性体【JST・京大機械翻訳】

Edge-derived magnetisms in very thin non-doped Bi₂Te₃ nanomesh

著者 (6件)： Kobayashi T. (Faculty of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan) ,  Mine H. (Faculty of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan) ,  Tokuda T. (Faculty of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan) ,  Hashimoto Y. (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan) ,  Katsumoto S. (Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan) ,  Haruyama J. (Faculty of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University, 5-10-1 Fuchinobe, Sagamihara, Kanagawa 252-5258, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 115  号： 9  ページ： 093101-093101-5  発行年： 2019年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリアドーピングのない元のトポロジー絶縁体(TI)は,主に磁気秩序の欠如を被る。非ドープ二次元(2D)薄いTI(Bi_2Te_3)上に非常に高密度の六方晶ナノ細孔のハニカム状アレイであるナノメッシュ構造を作製した。完全水素終端ナノメッシュにおいて反強磁性(AFM)を観測したが,完全O終端ナノメッシュにおいて強磁性(FM)により除去された。AFMとFMの間の相互作用は部分的O終端ナノメッシュで観察された。観測された磁気光学に対する可能な起源として,AFMに対してはナノ細孔周辺に存在する可能性があり,細孔端に沿ったO-Te結合によるFMスピン整列により除去されるKramers二重項を,磁化の構造とアニーリング依存性に基づいて議論した。TI上に形成された非ドープ2Dナノメッシュは,トポロジー的磁気およびスピントロニクスに関する研究の新しい道をもたらすであろう。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 強磁性 ,  磁化 ,  スピントロニクス ,  六方晶系 ,  焼なまし ,  位相幾何学 ,  磁気秩序 ,  細孔 ,  二重項 ,  反強磁性 ,  二次元 ,  磁気 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： ナノ細孔 ,  *ナノメッシュ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  ナノメッシュ ,  エッジ ,  磁性体