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J-GLOBAL ID：201902275238266261   整理番号：19A1522633

修正Naフラックス法により成長させたGaNバルク単結晶中の貫通転位における局所電流漏れ

Local current leakage at threading dislocations in GaN bulk single crystals grown by a modified Na-flux method

著者 (5件)： HAMACHI Takeaki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TOHEI Tetsuya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  IMANISHI Masayuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Yusuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SAKAI Akira (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58  号： 5  ページ： 050918.1-050918.4  発行年： 2019年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c面成長セクタから成るNaフラックス成長GaNバルク単結晶における貫通転位(TD)の局所的電気的及び構造的性質を調べた。転位関連エッチピット上に局所的に作製したSchottky様接触の導電性原子間力顕微鏡解析は,逆バイアス条件下で種々の漏れ電流を示した。TDの周りの微細構造解析は,電流漏れとTDの構造とそれらの周囲の間の相関を明らかにした。TDの近傍に局所的に形成されたより高い酸素不純物濃度を持つマイクロスケールファセット成長セクターは,TDの構造よりも電流漏れに大きな影響を与えた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フラックス法 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  単結晶 ,  *結晶 ,  *貫通転位 ,  エッチピット ,  顕微鏡観察 ,  *漏れ電流 ,  微細構造 ,  濃度 ,  不純物濃度 ,  電流電圧特性 ,  多光子励起 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： *バルク結晶 ,  原子間力顕微鏡観察 ,  酸素濃度 ,  多光子励起光ルミネセンス ,  透過型電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡観察

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (29件)：

• S. P. DenBaars et al., Acta Mater. 61, 945 (2013).
• T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100210 (2014).
• S. W. Lee et al., Appl. Phys. Lett. 89, 132117 (2006).
• P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
• Y. Huang, X. D. Chen, S. Fung, C. D. Beling, and C. C. Ling, J. Appl. Phys. 94, 5771 (2003).

タイトルに関連する用語 (7件)： Na ,  フラックス法 ,  成長 ,  GaN ,  バルク ,  単結晶 ,  貫通転位