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J-GLOBAL ID：201902275316916928   整理番号：19A1414857

TiとPt上部電極を有する強誘電体BaTiO_3ベースキャパシタにおける抵抗スイッチングと光起電力効果【JST・京大機械翻訳】

Resistive switching and photovoltaic effects in ferroelectric BaTiO₃-based capacitors with Ti and Pt top electrodes

著者 (19件)： Fan Hua (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Chen Chao (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Fan Zhen (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Zhang Luyong (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Tan Zhengwei (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Li Peilian (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Huang Zhifeng (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Yao Junxiang (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Tian Guo (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Luo Qiuyuan (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Li Zhongwen (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Song Xiao (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Chen Deyang (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Zeng Min (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Gao Jinwei (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Lu Xubing (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Zhao Yue (Institute for Quantum Science and Engineering and Department of Physics, South University of Science and Technology of China, Shenzhen 518055, China) ,  Gao Xingsen (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China) ,  Liu Jun-Ming (Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou 510006, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 25  ページ： 252901-252901-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ti/BaTiO_3(BTO)/SrRuO_3(SRO)およびPt/BTO/SROキャパシタの誘電,強誘電,伝導および光起電力特性を比較研究した。Pt/BTO/SROキャパシタでは抵抗スイッチング(RS)が観測されたが,Ti/BTO/SROキャパシタでは存在しなかった。これはPtとBTOの間に存在する界面層とTi/BTOのOhm界面に起因すると考えられる。伝導機構に関する更なる解析は,RSがPt/BTO界面層における伝導経路の開口/閉鎖によって引き起こされる可能性があるが,RSスイッチング電圧と抗電圧の間の不整合のために,分極はRSの起源として除外されることを示唆した。一方,Ti/BTO/SROとPt/BTO/SROキャパシタの両方における光起電力効果(PVEs)は電気的にスイッチングできず,2つのキャパシタの開回路電圧は大きさが類似しており,PVEは分極誘起場よりも内部バイアス場により駆動されることが分かった。このような内部バイアス場の存在は自己分極とインプリント現象によって示される。著者らの研究は,界面層と内部バイアス場が,ある種の強誘電体キャパシタにおけるRSとPVEの主な原因であり,一方,分極は必ずしも役割を果たさないことを実証した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光起電力 ,  界面 ,  *白金 ,  分極 ,  不整合 ,  開口 ,  *スイッチング ,  *チタン ,  *光起電力効果 ,  電圧 ,  バイアス ,  *コンデンサ ,  *強誘電体
準シソーラス用語： 界面層 ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ti ,  Pt ,  上部電極 ,  強誘電体 ,  キャパシタ ,  抵抗スイッチング ,  光起電力効果