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J-GLOBAL ID：201902275336368519   整理番号：19A1607214

1200VスケールIGBT用の自己ターンオンフリー5Vゲート駆動【JST・京大機械翻訳】

Self-Turn-on-Free 5V Gate Driving for 1200V Scaled IGBT

著者 (13件)： Tsukuda Masanori (Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Fukuoka, Japan) ,  Sudo Masaki (Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Fukuoka, Japan) ,  Hasegawa Kazunori (Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Fukuoka, Japan) ,  Abe Seiya (Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Fukuoka, Japan) ,  Saraya Takuya (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takakura Toshihiko (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Fukui Munetoshi (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Itou Kazuo (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Suzuki Shinichi (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takeuchi Kiyoshi (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Ninomiya Tamotsu (Green Electronics Research Institute, Kitakyushu, Fukuoka, Japan) ,  Hiramoto Toshiro (The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Omura Ichiro (Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Fukuoka, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019  号： ISPSD  ページ： 339-342  発行年： 2019年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オフ状態の間のスケール絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)におけるゲート電圧の負バイアスをモデル化し,自己ターンオン故障に対して有効であることを見出した。必要な自己ターンオンフリー基準を実験的に検証した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ターンオン ,  *IGBT ,  故障 ,  モデリング ,  バイアス
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  オフ状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (5件)： スケール ,  IGBT ,  自己 ,  ターンオン ,  ゲート