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J-GLOBAL ID：201902275427280584   整理番号：19A0912372

ケイ化鉄ナノ結晶の単結晶シリコンへの埋め込み エメラジョン効果の抑制【JST・京大機械翻訳】

Embedding of iron silicide nanocrystals into monocrystalline silicon: suppression of emersion effect

著者 (6件)： Chusovitin Evgeniy (Institute for Automation and Control Processes (Russian Federation)) ,  Goroshko Dmitry (Institute for Automation and Control Processes (Russian Federation)) ,  Dotsenko Sergey (Institute for Automation and Control Processes (Russian Federation)) ,  Shevlyagin Alexander (Institute for Automation and Control Processes (Russian Federation)) ,  Gutakovskii Anton (Novosibirsk State Univ. (Russian Federation)) ,  Galkin Nikolay (Institute for Automation and Control Processes (Russian Federation))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11024  ページ： 1102402-8  発行年： 2019年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケイ化鉄ナノ結晶(NC)の形成とそれらの単結晶シリコンへの埋め込みを研究した。630°Cでの0.4nmFeの固相エピタクシーは,β-FeSi_2と-FeSi相から成るNCの形成をもたらした。750°C,90分間のNCのアニーリングにより,β-FeSi_2と-FeSiのα-FeSi_2への変換が生じた。一方,同じ温度で形成されたままのNC上のシリコン層の成長は,β-FeSi_2から成る単相NCの形成をもたらした。シリコン蒸着速度は,NCの完全な埋め込みのための重要なポイントであることが証明された。1nm/分の速度は,Siキャップ層の厚さに関係なく,シリコンの過剰成長中に表面へのNCの発生をもたらした。一方,8nm/分の速度は,β-FeSi_2 NCの完全な埋め込みをもたらした。不完全および完全に埋め込まれたβ-FeSi_2 NCは,Y点における間接的なバンドギャップ転移に対して,エピタキシャル関係および応力に対して好ましいことを示した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単相 ,  *ケイ素 ,  焼なまし ,  バンドギャップ ,  エピタクシー ,  *ナノ結晶
準シソーラス用語： キャップ層 ,  蒸着速度 ,  シリコン層 ,  固相エピタキシー ,  *単結晶シリコン ,  *ケイ化鉄 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (4件)： ケイ化鉄 ,  ナノ結晶 ,  単結晶シリコン ,  埋め込み