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J-GLOBAL ID：201902275630152935   整理番号：19A1132003

二重ゲート三活性層チャネルを用いたAMOLED画素回路用IGZO薄膜トランジスタの設計と解析【JST・京大機械翻訳】

Design and analysis of IGZO thin film transistor for AMOLED pixel circuit using double-gate tri active layer channel

著者 (2件)： Dargar Shashi K. (Department of Electronic Engineering, Howard College, University of KwaZulu-Natal, Durban, 4041, South Africa) ,  Srivastava Viranjay M. (Department of Electronic Engineering, Howard College, University of KwaZulu-Natal, Durban, 4041, South Africa)
資料名： Heliyon  (Heliyon)
巻： 5  号： 4  ページ： Null  発行年： 2019年 
JST資料番号： W3098A  ISSN： 2405-8440  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,三重活性層(TAL)チャネルから成るインジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド(α-IGZO)薄膜トランジスタを二重ゲート構造で設計した。新しい素子構造の電気的性能を,ゲートとソース-ドレイン(S-D)接触の間の異なる重なりとオフセット長において,その出力と伝達特性を用いて解析した。得られたパラメータは,10~11オーダーの薄膜トランジスタ(TFT)のオフセットにおける高いI_ON/I_OFFを含む素子特性とより良く一致し,高いチャネル移動度は重なりにおいて16.08cm2/Vであるが,オフセットTFTに対しては6cm2/Vより小さい。新しい二重ゲートTAL TFTの優れた電気的挙動を組み込んだ。その後,新しい能動マトリックス-有機発光ダイオード(AMOLED)画素回路における素子応用を提案した。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： オフセット ,  *薄膜トランジスタ ,  素子構造 ,  酸化物 ,  アクティブマトリックス ,  *活性層 ,  *チャネル
準シソーラス用語： 有機EL素子 ,  チャネル移動度 ,  デバイス特性 ,  伝達特性 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  *ピクセル回路 ,  *AMOLED ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (1件)： 電気工学

分類 (1件)： 免疫療法薬・血液製剤の基礎研究  (GW22010D)

タイトルに関連する用語 (9件)： 二重ゲート ,  活性層 ,  チャネル ,  AMOLED ,  画素回路 ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  設計 ,  解析