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J-GLOBAL ID:201902275710602841   整理番号:19A0659050

イオン交換による二次元遷移金属ジカルコゲナイドの一般的戦略【JST・京大機械翻訳】

General Strategy for Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides by Ion Exchange
著者 (8件):
資料名:
巻: 29  号: 23  ページ: 10019-10026  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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二次元(2D)層状半導体の原子組成を制御し,変化させる能力は,それらの電子的および光電子的性質を調整するために非常に重要である。2D層状半導体の化学組成を調整する現在の方法は気相化学に限定されており,溶液相化学は今日まで十分に探求されていない。ここでは,溶液相におけるイオン交換反応により,2D層状遷移金属ジカルコゲニド(TMD)を調製する一般的アプローチを報告する。MoS_2,MoSe_2,WS_2及びSnS_2を代表的な場合として選択することにより,層状金属ジカルコゲニドにおけるカチオン及びアニオン交換反応の実現可能性及び汎用性を確認した。過渡吸収結果は,励起エネルギーとしてのこれらの試料の励起子寿命が増加することを示した。イオン交換後のこれらTMDナノシートの光電子特性は将来のデバイスの可能性を示した。著者らの戦略は層状TMDの原子組成と電子構造を調整するだけでなく,様々なハイブリッドヘテロ構造の作製のための新しい経路を開くことができる。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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