文献

J-GLOBAL ID：201902275795511914   整理番号：19A1415572

均一スイッチング二重障壁記憶デバイスに関する深さナノ分光分析【JST・京大機械翻訳】

In depth nano spectroscopic analysis on homogeneously switching double barrier memristive devices

著者 (13件)： Strobel Julian (Synthesis and Real Structure, Faculty of Engineering, Kiel University, Kaiserstr. 2, 24143 Kiel, Germany) ,  Hansen Mirko (Nanoelectronics, Faculty of Engineering, Kiel University, Kaiserstr. 2, 24143 Kiel, Germany) ,  Dirkmann Sven (Faculty for Electrical Engineering and Information Technology, Ruhr Universitaet Bochum, Universitaetsstr. 150, 44801 Bochum, Germany) ,  Neelisetty Krishna Kanth (Karlsruhe Institute of Technology, Institute of Nanotechnology, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Ziegler Martin (Nanoelectronics, Faculty of Engineering, Kiel University, Kaiserstr. 2, 24143 Kiel, Germany) ,  Haberfehlner Georg (Institute for Electron Microscopy and Nanoanalytics, Technical University Graz, Steyrergasse 17, 8010 Graz, Austria) ,  Popescu Radian (Laboratory of Electron Microscopy, Karlsruhe Institute of Technology, Engesserstr. 7, 76131 Karlsruhe, Germany) ,  Kothleitner Gerald (Institute for Electron Microscopy and Nanoanalytics, Technical University Graz, Steyrergasse 17, 8010 Graz, Austria) ,  Chakravadhanula Venkata Sai Kiran (Karlsruhe Institute of Technology, Institute of Nanotechnology, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Kuebel Christian (Karlsruhe Institute of Technology, Institute of Nanotechnology, Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Kohlstedt Hermann (Nanoelectronics, Faculty of Engineering, Kiel University, Kaiserstr. 2, 24143 Kiel, Germany) ,  Mussenbrock Thomas (Electrodynamics and Physical Electronics, Brandenburg University of Technology, 03046 Cottbus, Germany) ,  Kienle Lorenz (Synthesis and Real Structure, Faculty of Engineering, Kiel University, Kaiserstr. 2, 24143 Kiel, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 24  ページ： 245307-245307-9  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重障壁設計に基づくメムリスタを,それらの微細構造と伝導機構についての詳細を明らかにするために,種々のナノ分光法によって解析した。この素子は,Nb底電極とAu上部電極の間にサンドイッチされたAlO_xトンネル障壁とNbO_y/Au Schottky障壁からなる。トンネル障壁の局所化学組成,すなわち金属の酸化状態と酸素イオンの濃度と分布が電子伝導に大きな影響を及ぼすことが予想されたので,これらの因子を注意深く分析した。電子エネルギー損失分光法によりNbおよびOの電子状態を信頼性良く調べるために,また,遷移端がAuおよびAlのようなエネルギー分散X線分光法により異なるエネルギー範囲を示すマップ要素を,組合せアプローチを選択した。結果は,Al酸化物トンネル障壁における底部電極の著しい酸化と小さな酸素空孔濃度を決定的に実証した。この予想外の付加的酸化物層を説明するための可能なシナリオを議論し,速度論的モンテカルロシミュレーションを適用して,素子の伝導機構に及ぼすその影響を同定した。観測された配置と最初に探索されたレイアウトの間の偏差に照らして,本研究は,二重障壁メムリスタデバイスの構造偏差に関するメムリスティブ関数のロバスト性を強調した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 速度論 ,  *スイッチング ,  *記憶装置 ,  アルミニウム ,  ニオブ ,  電子状態 ,  微細構造 ,  化学組成 ,  酸化アルミニウム ,  金
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  酸素イオン ,  トンネル障壁 ,  伝導機構 ,  メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： スイッチング ,  障壁 ,  記憶デバイス ,  分光分析