文献

J-GLOBAL ID：201902275875586399   整理番号：19A2025124

カーボンナノチューブに基づくディジタルプログラマブル電流フォロワ【JST・京大機械翻訳】

Carbon Nanotubes-Based Digitally Programmable Current Follower

著者 (3件)： Tripathi S. K. ( Department of Electronics & Communication Engineering, Malaviya National Institute of Technology, Jaipur, India) ,  Ansari Mohd. Samar ( Department of Electronics Engineering, Aligarh Muslim University, Aligarh, India) ,  Joshi Amit M. ( Department of Electronics & Communication Engineering, Malaviya National Institute of Technology, Jaipur, India)
資料名： VLSI Design  (VLSI Design)
巻： 2018  ページ： Null  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0643A  ISSN： 1065-514X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超収縮CMOSトランジスタの物理的制約は,急速に原子論的および量子力学的限界に近づいている。したがって,サブ10nm領域で効率的に動作できるナノスケール素子の開発に向けて研究が進められている。これは,アナログ信号処理応用のための最近の設計傾向が,より低い電圧スイング,より高い帯域幅,およびより良い信号線形性を提供する電流モード回路に向かって動いているという事実と結合した。ディジタル制御DVCCをCNFETを用いて実現した。本研究は,ディジタル制御動作を実行するために,キラリティ,ピッチ,およびCNTsの数のようなCNFETのパラメータを利用した。回路は最小数のトランジスタを持ち,出力電流をディジタル的に制御できる。32nmのCMOSパラメータをもつ類似のCMOS回路もシミュレーションし,比較した。結果は,CMOSベース回路が418.6μWを必要とし,一方,CNFETベース回路は352.1μWだけを消費することを示した。さらに,提案した回路を用いて,ディジタルプログラマブル利得を有するCNFETベースの計装増幅器を実現した。増幅器は100dBのCMRRと0.806Vに等しいICMRを持つ。増幅器の3dB帯域幅は11.78GHzで,ナビゲーション,レーダ装置,および高周波信号増幅とコンディショニングのような応用に適している。Copyright 2018 S. K. Tripathi et al. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ディジタル方式 ,  高速度 ,  利得 ,  信号増幅 ,  電流モード回路 ,  ディジタル制御 ,  *電流 ,  トランジスタ ,  CMOS ,  帯域幅 ,  電圧 ,  増幅器 ,  *カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： キラリティ ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (34件)：

• P. E. Allen, D. R. Holberg, CMOS Analog Circuit Design, Oxford University Press, Oxford, UK, 2002.
• M. S. Ansari, "Multiphase sinusoidal oscillator with digital control," Proceedings of the International Conference on Power, Control and Embedded Systems, ICPCES '10 of 5, pp. 1, December 2010.
• P. Beg, S. Maheshwari, M. A. Siddiqi, "Digitally controlled fully differential voltage- and transadmittance-mode biquadratic filter," IET Circuits, Devices & Systems, vol. 7, no. 4, pp. 193-203, 2013.
• D. Biolek, R. Senani, V. Biolkova, Z. Kolka, "Active elements for analog signal processing: classification, review, and new proposals," Radioengineering, vol. 17, no. 4, pp. 15-32, 2008.
• D. C. Y. Chek, M. L. P. Tan, M. T. Ahmadi, R. Ismail, V. K. Arora, "Analytical modeling of high performance single-walled carbon nanotube field-effect-transistor," Microelectronics Journal, vol. 41, no. 9, pp. 579-584, 2010.

タイトルに関連する用語 (2件)： カーボンナノチューブ ,  ディジタル