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J-GLOBAL ID：201902276418502314   整理番号：19A0495024

サブサーマルドレイン電圧におけるサブ閾値電流を用いた11nW CMOS温度-ディジタル変換器【JST・京大機械翻訳】

An 11-nW CMOS Temperature-to-Digital Converter Utilizing Sub-Threshold Current at Sub-Thermal Drain Voltage

著者 (4件)： Someya Teruki (University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Islam A. K. M. Mahfuzul (Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Sakurai Takayasu (University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takamiya Makoto (University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 54  号： 3  ページ： 613-622  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ閾値領域にMOSFETを用いた完全集積CMOS温度-ディジタル変換器を提案した。温度-ディジタル変換器は,インターネット(IoT)ノードのために必要とされる超低電力動作を達成する。提案した原理は,ドレイン電圧が熱電圧の十分以上で十分に維持されている二つのnMOSFETのサブ閾値電流の比を取る。温度-ディジタル変換器の提案した回路実装は,25°Cの室温で11nWの超低消費電力を達成した。180nm CMOSプロセスで作製した提案温度センサの測定結果は,2点較正後に-20°Cから80°Cの温度範囲で-0.9/+1.2°Cのピーク非精度を示し,145mKの分解能を達成した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度センサ ,  MOSFET ,  分解能 ,  *電圧 ,  インターネット ,  *CMOS ,  *電流
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  nMOSFET ,  超低消費電力 ,  モノのインターネット ,  *サブ閾値 ,  *ドレイン電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  電源回路  (NC05060Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブ ,  ドレイン電圧 ,  閾値電流 ,  CMOS ,  ディジタル ,  変換器