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J-GLOBAL ID：201902276571316030   整理番号：19A2645021

ねじれた二層グラフェンにおける励起子効果【JST・京大機械翻訳】

Excitonic effects in twisted bilayer graphene

著者 (2件)： Apinyan V. (Institute of Low Temperature and Structure Research, Polish Academy of Sciences, PO. Box 1410, 50-950, Wroclaw 2, Poland) ,  Kopec T.K. (Institute of Low Temperature and Structure Research, Polish Academy of Sciences, PO. Box 1410, 50-950, Wroclaw 2, Poland)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 115  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,回転二重層Hubbardモデル内のねじれた二層グラフェン(tBLG)における励起子効果を考察した。層内及び層間Coulomb相互作用を考慮し,電子密度に対する半充填条件を二層の両方の層とした。異なるねじれ角と層間Coulomb相互作用パラメータの異なる値に対する励起子ギャップパラメータと化学ポテンシャルを計算した。さらに,励起子効果により媒介される電子バンド構造における電子平坦バンドの出現を示した。低い相互作用限界におけるDiracのK点の倍増効果があり,Diracのノードの一つは安定で,他の一つは回転角の関数としてその位置を変化させることを示した。大きなねじれ角限界において,Brillouin帯のM点に2つの付加的Dirac様ノードが現れた。低い相互作用限界において,主Dirac点Kの励起子赤方偏移効果を示したが,強い相互作用では,M点での青方偏移効果も得た。上述の効果とは別に,ここで評価した理論は,層間Coulomb相互作用パラメータを増大させるとき,tBLG系における金属-半導体転移を予測する。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 金属-半導体転移 ,  強い相互作用 ,  *励起子 ,  Coulomb相互作用 ,  Brillouin帯 ,  相互作用 ,  Hubbard模型 ,  化学ポテンシャル ,  赤方偏移 ,  青方偏移 ,  電子密度
準シソーラス用語： ねじれ角 ,  *二層 ,  二重層 ,  *二層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (2件)： 二層グラフェン ,  励起子