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J-GLOBAL ID：201902276718812984   整理番号：19A1409623

単層カーボンナノチューブ薄膜/ZnO垂直ヘテロ構造に基づく可視ブラインドUV光検出器【JST・京大機械翻訳】

Visible-Blind UV Photodetector Based on Single-Walled Carbon Nanotube Thin Film/ZnO Vertical Heterostructures

著者 (15件)： Li Guanghui (Department of Chemical and Environmental Engineering, University of California) ,  Li Guanghui (Center for Nanoscale Science and Engineering, University of California) ,  Suja Mohammad (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California) ,  Chen Mingguang (Department of Chemical and Environmental Engineering, University of California) ,  Chen Mingguang (Center for Nanoscale Science and Engineering, University of California) ,  Bekyarova Elena (Department of Chemical and Environmental Engineering, University of California) ,  Bekyarova Elena (Center for Nanoscale Science and Engineering, University of California) ,  Bekyarova Elena (Department of Chemistry, University of California) ,  Haddon Robert C. (Department of Chemical and Environmental Engineering, University of California) ,  Haddon Robert C. (Center for Nanoscale Science and Engineering, University of California) ,  Haddon Robert C. (Department of Chemistry, University of California) ,  Liu Jianlin (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California) ,  Itkis Mikhail E. (Department of Chemical and Environmental Engineering, University of California) ,  Itkis Mikhail E. (Center for Nanoscale Science and Engineering, University of California) ,  Itkis Mikhail E. (Department of Chemistry, University of California)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 42  ページ： 37094-37104  発行年： 2017年10月25日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常の(Ge,SiおよびGaAs)と広いバンドギャップ半導体のヘテロ接合に基づく紫外(UV)光検出器が最近実証されているが,高いUV感度と可視ブラインド光検出を達成することは依然として課題のままである。ここでは,垂直p-SC-SWNT/n-ZnOヘテロ接合ベースUV光検出器を構築するために,分子線エピタクシー成長n-ZnO層と組み合わせて0.68±0.07eVのエネルギーギャップをもつp型半導体単層カーボンナノチューブ(SC-SWNT)の半透明膜を用いた。得られた素子は,370から230nmまでのUVスペクトル範囲において400A/Wまでの電流光応答性と低い暗電流を10~3の電流整流比を示した。この検出器は,励起子形成をもたらす強い電子-フォノン相互作用のために,一次元SWNTにおける極端に短い光キャリア寿命のために,10~5のUV対可視光応答性比をもつ実用的な可視ブラインドである。この垂直配置において,UV照射は,低損失(10~20%)をもつ上部半透明SC-SWNT層を透過し,p-SC-SWNT/n-ZnO界面に近接してn-ZnO層内の光キャリアを励起する。ここで,電子-正孔対はヘテロ接合に関連する高内蔵電場により効率的に分離される。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *紫外線 ,  ヘテロ接合 ,  暗電流 ,  バンドギャップ ,  化合物半導体 ,  *光検出器 ,  可視光 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  電場 ,  *光検出 ,  一次元 ,  界面 ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： 半透明 ,  光応答 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： カーボンナノチューブ ,  ZnO ,  UV光検出器 ,  ヘテロ接合 ,  SWNT薄膜

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 単層カーボンナノチューブ ,  薄膜 ,  ZnO ,  垂直 ,  ヘテロ構造 ,  ブラインド ,  UV光 ,  検出器