文献
J-GLOBAL ID:201902276735308201   整理番号:19A0660561

歪加工基板上に成長させたしわのない単結晶グラフェンウエハ【JST・京大機械翻訳】

Wrinkle-Free Single-Crystal Graphene Wafer Grown on Strain-Engineered Substrates
著者 (29件):
資料名:
巻: 11  号: 12  ページ: 12337-12345  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
グラフェンと基板の間の熱的不整合により誘起された歪により,高温での化学蒸着により種々の基板上に成長させたグラフェン膜に対して皺が遍在している。これはグラフェンの異常な性質を大きく劣化させる。ここでは,Cu基板上に成長したグラフェンのしわ形成は結晶方位に強く依存することを示した。歪工学によりサファイア基板上に作製したウエハスケールの双晶境界のない単結晶Cu(111)薄膜上にしわのない単結晶グラフェンを成長させた。グラフェンのしわのない特徴は,Cu(111)薄膜基板の比較的小さな熱膨張とCu(111)とグラフェンの間の比較的強い界面結合から生じ,歪解析と分子動力学シミュレーションに基づいている。さらに,再利用可能な単結晶Cu(111)/サファイア成長基板からターゲット基板上への超微細グラフェン膜の移動を実証した。皺のないグラフェンは,皺を持つグラフェンと比較して,電気移動度の向上を示した。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  その他の無機化合物の薄膜  ,  炭素とその化合物 

前のページに戻る