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J-GLOBAL ID：201902276738186954   整理番号：19A0511474

高性能マイクロ波応用のための超伝導真空ギャップクロスオーバの作製【JST・京大機械翻訳】

Fabrication of Superconducting Vacuum-Gap Crossovers for High Performance Microwave Applications

著者 (7件)： Denis Kevin L. (NASA Goddard Space Flight Center, Greenbelt, MD, USA) ,  Brown Ari David (NASA Goddard Space Flight Center, Greenbelt, MD, USA) ,  Chang Meng-Ping (Stinger Ghaffarian Technologies, Inc., Greenbelt, MD, USA) ,  Hu Ron (Stinger Ghaffarian Technologies, Inc., Greenbelt, MD, USA) ,  Rostem Karwan (Johns Hopkins University, Baltimore, MD, USA) ,  U-Yen Kongpop (NASA Goddard Space Flight Center, Greenbelt, MD, USA) ,  Wollack Edward J. (NASA Goddard Space Flight Center, Greenbelt, MD, USA)
資料名： IEEE Transactions on Applied Superconductivity  (IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27  号： 4  ページ： ROMBUNNO.1100404.1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0177A  ISSN： 1051-8223  CODEN： ITASE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能ミリ波応用のための低損失広帯域超伝導真空ギャップ交差の作製について述べた。ミリ波波長でのオームと寄生損失を低減するために,真空ギャップは誘電体スペーサに比べて好ましい。ここでは,基本的なニオブ信号層上の被覆のために最適化された犠牲高分子層とそれに続くニオブスパッタ堆積を用いて,真空ギャップ交差を実現した。共平面導波路とマイクロストリップ交差トポロジーの両方を詳細に調べた。結果としての作製プロセスは,犠牲ワックス結合を含む導波路結合検出器を実現するためのバルクマイクロマシニングプロセス,およびレグ孤立シリコン膜構造の創製のためのウエハ背面深反応性イオンエッチングと互換性がある。深い反応性イオンエッチング後のワックス結合ウエハに沿った真空ギャップ構造の放出を,検出器作製を完了するために用いた同じプロセス段階で実行した。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ワックス ,  最適化 ,  スパッタ蒸着 ,  位相幾何学 ,  誘電体 ,  コプレーナ導波路 ,  *超伝導 ,  検出器 ,  スペーサ ,  広帯域 ,  ニオブ ,  マイクロストリップ線路 ,  互換性 ,  EHF波
準シソーラス用語： *クロスオーバー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 音声処理  (JE05000E) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能マイクロ波 ,  応用 ,  伝導 ,  真空 ,  ギャップ ,  クロスオーバ ,  作製