抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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科学者は,それらの効率的な光起電力特性のために,非フラーレン系アクセプタに焦点を合わせている。ここでは,良く知られた実験的に合成された参照化合物Rの構造的修飾により,より良い光起電力特性を有する4つの新規ジチエノナフタレンに基づく受容体を設計した。新しく設計された分子は異なるアクセプタ(末端キャップ)を結合したジチエノナフタレン核を有していた。アクセプタ部分は2-(5,6-ジフルオロ-2-メチレン-3-オキソ-2,3-ジヒドロインデン-1-イリデン)マロノニトリル(H1),2-(5,6-ジシアノ-2-メチレン-3-オキソ-2,3-ジヒドロインデン-1-イリデン)-マロノニトリル(H2),2-(5-メチレン-6-オキソ-5,6-dihydrocylopenta[c]チオPhe-4-イリデン)-マロノニトリル(H3)及び2-(3-(ジシアノメチレン)-2,3-ジヒドロインデン-1-イリデン)マロノニトリル(H4))である。設計した分子の光起電力パラメータを参照Rのものと比較して論じた。すべての新しく設計された分子は,参照R(2.31eV)と比較して,減少したHOMO-LUMOエネルギーギャップ(2.17eVから2.28eV)を示した。ドナーからアクセプタへの電荷移動をフロンティア分子軌道(FMO)図により確認した。研究した全ての分子は可視領域で広範な吸収を示し,吸収極大はRと比較して赤方偏移した。調べた全ての分子は,Rと比較して高い電荷移動速度を示す低い励起エネルギーを有していた。開回路電圧を評価するために,設計したアクセプタ分子を良く知られたドナーPBDB-Tと混合した。分子H3は最高のV_oc値(1.88V)を有した。TDMを行い,ドナーとアクセプタ単位間の電子励起過程と電子正孔位置の挙動を示した。すべての分子の結合エネルギーはRのそれより低い。最高電荷移動を反映するH3(0.24eV)に対して最低値を計算した。H2の電子と正孔の再組織化エネルギー値はRより低く,最高の電荷移動速度を示した。Copyright 2019 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】