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J-GLOBAL ID:201902277351185516   整理番号:19A1802951

メチルアンモニウム鉛三ヨウ化物ペロブスカイト単結晶における金属/イオン相互作用誘起p-i-n接合【JST・京大機械翻訳】

Metal/Ion Interactions Induced p-i-n Junction in Methylammonium Lead Triiodide Perovskite Single Crystals
著者 (14件):
資料名:
巻: 139  号: 48  ページ: 17285-17288  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0254A  ISSN: 0002-7863  CODEN: JACSAT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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新しい多機能半導体としてのハイブリッドペロブスカイトは,二重電子/イオン伝導特性を示した。界面依存Seebeck効果,Hall効果および飛行時間二次イオン質量分析に基づいて,Au/MAPbI_3/Ag配置をもつわずかにn型ドープしたMAPbI_3単結晶を横切る金属/イオン相互作用誘起p-i-n接合を報告した。有機カチオン(MA+)はAu原子と相互作用し,Au/MAPbI_3界面で正に荷電した配位錯体を形成するが,ヨウ素アニオン(I-)はAg接触と反応し,界面イオン分極をもたらす。このような金属/イオン相互作用により,Au/MAPbI_3界面近傍のpドープ領域が形成され,それにより,Ag/MAPbI_3/Ag配置の結晶を横切るp-i-n接合が形成されて,Ag/MAPbI_3界面近傍のnドープ領域が形成された。したがって,金属/イオン相互作用はハイブリッドペロブスカイトの表面電子構造と半導体特性を決定する役割を果たす。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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遷移金属錯体一般  ,  界面化学一般 
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