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J-GLOBAL ID：201902277430295766   整理番号：19A1888157

Ge_1-xSn_x合金量子ドットの光学遷移と励起子特性【JST・京大機械翻訳】

Optical Transitions and Excitonic Properties of Ge_1-xSn_x Alloy Quantum Dots

著者 (7件)： Demchenko Denis O. (Department of Physics, Virginia Commonwealth University) ,  Tallapally Venkatesham (Department of Chemistry, Virginia Commonwealth University) ,  Esteves Richard J Alan (Department of Chemistry, Virginia Commonwealth University) ,  Hafiz Shopan (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University) ,  Nakagawara Tanner A. (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University) ,  Arachchige Indika U. (Department of Chemistry, Virginia Commonwealth University) ,  Oezguer Uemit (Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121  号： 33  ページ： 18299-18306  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイブリッド汎関数計算と実験的特性化を用いて,コロイド化学法により合成した2~3nm Ge_1-xSn_x合金量子ドットの光学特性を解析した。ゲルマニウムの実験的バルクバンド構造を得るために調整したハイブリッド汎関数理論は,格子定数,エネルギーギャップ,および吸収スペクトルなどのGe_1-xSn_x量子ドットの直接測定特性を再現する。時間依存ハイブリッド汎関数計算は実験と良く一致する光吸収をもたらし,量子ドットにおける暗励起子の性質を調べることを可能にした。計算は,温度とスズ濃度による光ルミネセンス寿命の変化により支持されるスピン禁制暗励起子基底状態を示唆した。Ge_1-xSn_x合金量子ドットの合成と理論的理解は,可視から近赤外オプトエレクトロニクスへの応用可能性を有する低から非毒性のシリコン適合性IV半導体の全体的なツールボックスに付加するであろう。Copyright 2019 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *量子ドット ,  適応性 ,  ケイ素 ,  計算 ,  近赤外線 ,  時間依存性 ,  オプトエレクトロニクス ,  *合金 ,  ゲルマニウム ,  半導体 ,  *励起子 ,  キャラクタリゼーション ,  スズ
準シソーラス用語： 暗励起子 ,  ハイブリッド汎関数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 合金 ,  量子ドット ,  光学遷移 ,  励起子