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J-GLOBAL ID：201902277447102129   整理番号：19A1415143

二層TaO_xベースRRAMにおける多準位抵抗に対するパルス幅と高さ変調【JST・京大機械翻訳】

Pulse width and height modulation for multi-level resistance in bi-layer TaO_x based RRAM

著者 (4件)： Alamgir Zahiruddin (Colleges of Nanoscale Science and Engineering, SUNY Polytechnic Institute, Albany, New York, 12203, USA) ,  Beckmann Karsten (Colleges of Nanoscale Science and Engineering, SUNY Polytechnic Institute, Albany, New York, 12203, USA) ,  Holt Joshua (Colleges of Nanoscale Science and Engineering, SUNY Polytechnic Institute, Albany, New York, 12203, USA) ,  Cady Nathaniel C. (Colleges of Nanoscale Science and Engineering, SUNY Polytechnic Institute, Albany, New York, 12203, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 111  号： 6  ページ： 063111-063111-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗性メモリ素子におけるマルチレベルスイッチングは,神経形態と認知計算を含む広範囲の計算パラダイムを可能にする。この目的のために,酸素交換層としてHfを用いた二層タンタル酸化物ベース抵抗ランダムアクセスメモリデバイスを開発した。多重,離散抵抗レベルは,2kΩから数MΩまでの範囲のRESETパルス幅と高さを変調することによって達成された。固定パルス高さに対して,オフ状態抵抗はパルス幅の増加とともに徐々に増加することが分かったが,固定パルス幅に対してはパルス高さの増加は抵抗の劇的な変化をもたらした。これらの素子の抵抗スイッチングは,オフ状態でのSchottky放出からオン状態でのトンネリングに基づく伝導に移行し,I-V曲線あてはめと温度依存電流測定に基づいた。これらのデバイスは10~8サイクル以上の耐久性を示し,満足できるR_off/R_on比と10~4s以上の保持を示した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *パルス幅 ,  記憶素子 ,  *パルス ,  温度依存性 ,  トンネル効果 ,  スイッチング ,  多重化 ,  ハフニウム ,  耐久性 ,  酸素
準シソーラス用語： オン状態 ,  抵抗スイッチング ,  オフ状態 ,  *ReRAM ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二層 ,  RRAM ,  パルス幅 ,  高さ ,  変調